58999311600

LXA-6499-2024

vfNquZ0AAAAJ

Клевцов Антон Игоревич

Anton Igorevich Klevtsov

ассистент

🥼

Антон может стать вашим научным руководителем

Если вы хотите работать под его/её руководством, напишите сообщение или свяжитесь с ним/ней в соцсетях.

Необходимо авторизоваться.

🤝

Антон ищет возможности для научного сотрудничества

Если вы хотите провести с ним/ней совместное исследование, напишите сообщение или свяжитесь с ним/ней в соцсетях.

Необходимо авторизоваться.

Санкт-Петербургский Политехнический Университет Петра Великого

Публикаций

Цитирований

Индекс Хирша

Области научных интересов

Взаимодействие ионов с поверхностью Ионная имплатация Магнетизм Механизмы накопления и аннигиляции радиационных дефектов при радиационном облучении Спинтроника Тонкие пленки Точечные дефекты Физика полимеров Физика твердого тела

Навыки

ChatGPT FTIR Four-Probe Methods RBS/C Ultra High Vacuum technic Вакуумное напыление ИК-спектроскопия Ионная имплантация Ионные каналы Оже-спектроскопия Рефрактометрия Сверхвысоковакуумные технологии Сканирующая электронная микроскопия (СЭМ) УФ-видимая спектроскопия поглощения Чистая зона Чтение курса лекций

Дополнительные ссылки

Sciprofiles

Лаборатории

Лаборатория "физики взаимодействия ионов и электронов с веществом" ВИФШ ИЭиТ СПбПУ

Инженер

Аффилиации

Санкт-Петербургский Политехнический Университет Петра Великого

2024 — 2025

Образование

Санкт-Петербургский Политехнический Университет Петра Великого

2021 — 2025, Аспирантура, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций

Санкт-Петербургский Политехнический Университет Петра Великого

2019 — 2021, Магистратура, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций

Санкт-Петербургский Политехнический Университет Петра Великого

2015 — 2019, Бакалавриат, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций

Всего публикаций

Всего цитирований

Цитирований на публикацию

Среднее число публикаций в год

Среднее число соавторов

4.17

Годы публикаций

2024-2026 (3 года)

h-index

i10-index

m-index

0.67

o-index

g-index

w-index

Описание метрик

h-index

Учёный имеет индекс h, если h из его N статей цитируются как минимум h раз каждая, в то время как оставшиеся (N - h) статей цитируются не более чем h раз каждая.

https://www.pnas.org/doi/full/10.1073/pnas.0507655102

i10-index

Число статей автора, получивших не менее 10 ссылок каждая.

https://scholar.googleblog.com/2011/11/google-scholar-citations-open-to-all.html

m-index

m-индекс ученого численно равен отношению его h-индекса к количеству лет, прошедших с момента первой публикации.

https://harzing.com/publications/white-papers/reflections-on-the-h-index

o-index

Среднее геометрическое h-индекса и числа цитирований наиболее цитируемой статьи ученого.

https://arxiv.org/abs/1511.01545

g-index

Для данного множества статей, отсортированного в порядке убывания количества цитирований, которые получили эти статьи, g-индекс это наибольшее число, такое что g самых цитируемых статей получили (суммарно) не менее g² цитирований.

https://doi.org/10.1007/s11192-006-0144-7

w-index

Если w статей ученого имеют не менее 10w цитирований каждая и другие статьи меньше, чем 10(w+1) цитирований, то w-индекс исследователя равен w.

https://doi.org/10.1002/asi.21276

Топ-100

Журналы

	1
Applied Physics Letters	Applied Physics Letters, 1, 16.67% Applied Physics Letters 1 публикация, 16.67%
APL Materials	APL Materials, 1, 16.67% APL Materials 1 публикация, 16.67%
Vacuum	Vacuum, 1, 16.67% Vacuum 1 публикация, 16.67%
Radiation Effects and Defects in Solids	Radiation Effects and Defects in Solids, 1, 16.67% Radiation Effects and Defects in Solids 1 публикация, 16.67%
	1

Цитирующие журналы

	1 2
Applied Physics Reviews	Applied Physics Reviews, 2, 11.11% Applied Physics Reviews 2 цитирования, 11.11%
ACS applied materials & interfaces	ACS applied materials & interfaces, 1, 5.56% ACS applied materials & interfaces 1 цитирование, 5.56%
Journal of Materials Chemistry C	Journal of Materials Chemistry C, 1, 5.56% Journal of Materials Chemistry C 1 цитирование, 5.56%
Journal of Alloys and Compounds	Journal of Alloys and Compounds, 1, 5.56% Journal of Alloys and Compounds 1 цитирование, 5.56%
Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films	Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films, 1, 5.56% Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films 1 цитирование, 5.56%
Physica Status Solidi - Rapid Research Letters	Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, 1, 5.56% Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 1 цитирование, 5.56%
Optical Materials	Optical Materials, 1, 5.56% Optical Materials 1 цитирование, 5.56%
APL Materials	APL Materials, 1, 5.56% APL Materials 1 цитирование, 5.56%
Vacuum	Vacuum, 1, 5.56% Vacuum 1 цитирование, 5.56%
Radiation Effects and Defects in Solids	Radiation Effects and Defects in Solids, 1, 5.56% Radiation Effects and Defects in Solids 1 цитирование, 5.56%
Journal of Applied Crystallography	Journal of Applied Crystallography, 1, 5.56% Journal of Applied Crystallography 1 цитирование, 5.56%
Applied Surface Science	Applied Surface Science, 1, 5.56% Applied Surface Science 1 цитирование, 5.56%
Journal Physics D: Applied Physics	Journal Physics D: Applied Physics, 1, 5.56% Journal Physics D: Applied Physics 1 цитирование, 5.56%
Physica Scripta	Physica Scripta, 1, 5.56% Physica Scripta 1 цитирование, 5.56%
Crystallography Reports	Crystallography Reports, 1, 5.56% Crystallography Reports 1 цитирование, 5.56%
Advanced Materials	Advanced Materials, 1, 5.56% Advanced Materials 1 цитирование, 5.56%
Electronic Materials	Electronic Materials, 1, 5.56% Electronic Materials 1 цитирование, 5.56%
	1 2

Цитируемые журналы

	2 4 6 8 10 12 14 16 18
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms	Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 17, 12.59% Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 17 цитирований, 12.59%
Applied Physics Letters	Applied Physics Letters, 15, 11.11% Applied Physics Letters 15 цитирований, 11.11%
Journal of Applied Physics	Journal of Applied Physics, 13, 9.63% Journal of Applied Physics 13 цитирований, 9.63%
Nature Communications	Nature Communications, 7, 5.19% Nature Communications 7 цитирований, 5.19%
Semiconductors	Semiconductors, 6, 4.44% Semiconductors 6 цитирований, 4.44%
Journal Physics D: Applied Physics	Journal Physics D: Applied Physics, 6, 4.44% Journal Physics D: Applied Physics 6 цитирований, 4.44%
APL Materials	APL Materials, 5, 3.7% APL Materials 5 цитирований, 3.7%
Scientific Reports	Scientific Reports, 4, 2.96% Scientific Reports 4 цитирования, 2.96%
Physical Review B	Physical Review B, 4, 2.96% Physical Review B 4 цитирования, 2.96%
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes	Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes, 3, 2.22% Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes 3 цитирования, 2.22%
Journal of Materials Chemistry C	Journal of Materials Chemistry C, 3, 2.22% Journal of Materials Chemistry C 3 цитирования, 2.22%
Physical Review Letters	Physical Review Letters, 3, 2.22% Physical Review Letters 3 цитирования, 2.22%
Acta Materialia	Acta Materialia, 3, 2.22% Acta Materialia 3 цитирования, 2.22%
Vacuum	Vacuum, 3, 2.22% Vacuum 3 цитирования, 2.22%
IEEE Transactions on Electron Devices	IEEE Transactions on Electron Devices, 3, 2.22% IEEE Transactions on Electron Devices 3 цитирования, 2.22%
Radiation Effects	Radiation Effects, 3, 2.22% Radiation Effects 3 цитирования, 2.22%
Materials Letters	Materials Letters, 2, 1.48% Materials Letters 2 цитирования, 1.48%
Applied Physics Reviews	Applied Physics Reviews, 2, 1.48% Applied Physics Reviews 2 цитирования, 1.48%
Surface Science Reports	Surface Science Reports, 2, 1.48% Surface Science Reports 2 цитирования, 1.48%
Nano Letters	Nano Letters, 2, 1.48% Nano Letters 2 цитирования, 1.48%
Langmuir	Langmuir, 2, 1.48% Langmuir 2 цитирования, 1.48%
Materials Science & Engineering A: Structural Materials: Properties, Microstructure and Processing	Materials Science & Engineering A: Structural Materials: Properties, Microstructure and Processing, 2, 1.48% Materials Science & Engineering A: Structural Materials: Properties, Microstructure and Processing 2 цитирования, 1.48%
Журнал не определён	Журнал не определён, 1, 0.74% Журнал не определён 1 цитирование, 0.74%
Green Chemistry	Green Chemistry, 1, 0.74% Green Chemistry 1 цитирование, 0.74%
Nano Today	Nano Today, 1, 0.74% Nano Today 1 цитирование, 0.74%
ACS applied materials & interfaces	ACS applied materials & interfaces, 1, 0.74% ACS applied materials & interfaces 1 цитирование, 0.74%
Photonics Research	Photonics Research, 1, 0.74% Photonics Research 1 цитирование, 0.74%
Journal of Alloys and Compounds	Journal of Alloys and Compounds, 1, 0.74% Journal of Alloys and Compounds 1 цитирование, 0.74%
Journal of Physics Condensed Matter	Journal of Physics Condensed Matter, 1, 0.74% Journal of Physics Condensed Matter 1 цитирование, 0.74%
IEEE Electron Device Letters	IEEE Electron Device Letters, 1, 0.74% IEEE Electron Device Letters 1 цитирование, 0.74%
CrystEngComm	CrystEngComm, 1, 0.74% CrystEngComm 1 цитирование, 0.74%
Materials Science in Semiconductor Processing	Materials Science in Semiconductor Processing, 1, 0.74% Materials Science in Semiconductor Processing 1 цитирование, 0.74%
ECS Journal of Solid State Science and Technology	ECS Journal of Solid State Science and Technology, 1, 0.74% ECS Journal of Solid State Science and Technology 1 цитирование, 0.74%
Reports on Progress in Physics	Reports on Progress in Physics, 1, 0.74% Reports on Progress in Physics 1 цитирование, 0.74%
Solid State Communications	Solid State Communications, 1, 0.74% Solid State Communications 1 цитирование, 0.74%
Nanotechnology	Nanotechnology, 1, 0.74% Nanotechnology 1 цитирование, 0.74%
Nature Electronics	Nature Electronics, 1, 0.74% Nature Electronics 1 цитирование, 0.74%
IEEE Transactions on Nuclear Science	IEEE Transactions on Nuclear Science, 1, 0.74% IEEE Transactions on Nuclear Science 1 цитирование, 0.74%
Physica Scripta	Physica Scripta, 1, 0.74% Physica Scripta 1 цитирование, 0.74%
npj Computational Materials	npj Computational Materials, 1, 0.74% npj Computational Materials 1 цитирование, 0.74%
Semiconductor Science and Technology	Semiconductor Science and Technology, 1, 0.74% Semiconductor Science and Technology 1 цитирование, 0.74%
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics	Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, 1, 0.74% Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics 1 цитирование, 0.74%
Proceedings of the IEEE	Proceedings of the IEEE, 1, 0.74% Proceedings of the IEEE 1 цитирование, 0.74%
Applied Physics Express	Applied Physics Express, 1, 0.74% Applied Physics Express 1 цитирование, 0.74%
Chemistry - A European Journal	Chemistry - A European Journal, 1, 0.74% Chemistry - A European Journal 1 цитирование, 0.74%
Journal of Nanoscience and Nanotechnology	Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 1, 0.74% Journal of Nanoscience and Nanotechnology 1 цитирование, 0.74%
Materials Science Reports	Materials Science Reports, 1, 0.74% Materials Science Reports 1 цитирование, 0.74%

	2 4 6 8 10 12 14 16 18

Издатели

	1 2
AIP Publishing	AIP Publishing, 2, 33.33% AIP Publishing 2 публикации, 33.33%
Elsevier	Elsevier, 1, 16.67% Elsevier 1 публикация, 16.67%
Taylor & Francis	Taylor & Francis, 1, 16.67% Taylor & Francis 1 публикация, 16.67%
	1 2

Организации из публикаций

	1 2 3
Организация не определена	Организация не определена, 3, 50% Организация не определена 3 публикации, 50%
Санкт-Петербургский Политехнический Университет Петра Великого	Санкт-Петербургский Политехнический Университет Петра Великого, 3, 50% Санкт-Петербургский Политехнический Университет Петра Великого 3 публикации, 50%
Университет Осло	Университет Осло, 2, 33.33% Университет Осло 2 публикации, 33.33%
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж. И. Алфёрова РАН	Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж. И. Алфёрова РАН, 1, 16.67% Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж. И. Алфёрова РАН 1 публикация, 16.67%
	1 2 3

Страны из публикаций

	1 2 3 4
Россия	Россия, 4, 66.67% Россия 4 публикации, 66.67%
Норвегия	Норвегия, 3, 50% Норвегия 3 публикации, 50%
Страна не определена	Страна не определена, 2, 33.33% Страна не определена 2 публикации, 33.33%
	1 2 3 4

Цитирующие организации

Цитирующие страны

	1 2 3 4 5 6 7
Страна не определена	Страна не определена, 7, 38.89% Страна не определена 7 цитирований, 38.89%
США	США, 7, 38.89% США 7 цитирований, 38.89%
Россия	Россия, 4, 22.22% Россия 4 цитирования, 22.22%
Китай	Китай, 2, 11.11% Китай 2 цитирования, 11.11%
Гонконг (САР)	Гонконг (САР), 2, 11.11% Гонконг (САР) 2 цитирования, 11.11%
Германия	Германия, 1, 5.56% Германия 1 цитирование, 5.56%
Индия	Индия, 1, 5.56% Индия 1 цитирование, 5.56%
Пакистан	Пакистан, 1, 5.56% Пакистан 1 цитирование, 5.56%
Польша	Польша, 1, 5.56% Польша 1 цитирование, 5.56%
Республика Корея	Республика Корея, 1, 5.56% Республика Корея 1 цитирование, 5.56%
	1 2 3 4 5 6 7

Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
Статистика пересчитывается раз в сутки.

По данным ORCID

0009-0004-6988-9685

Physica Scripta (1)

В этом разделе отображаются профили ученых, зарегистрированных на платформе. Чтобы отображался полный список, приглашайте коллег зарегистрироваться.

6 общих публикаций

2022 — 2024

| Титов Андрей Иванович

Компания/Организация

ФГАОУ ВО СПбПУ

Должность

Ассистент кафедры физики

Тип занятости

Частичная

Годы

2025 — нв

Компания/Организация

АО "НПП "ЭЛАР"

Должность

Инженер технолог

Тип занятости

Полная

Годы

2022 — нв

Компания/Организация

ФГАОУ ВО СПбПУ

Должность

Инженер

Тип занятости

Частичная

Годы

2022 — 2025

	1 2 3 4 5 6
Организация не определена	Организация не определена, 6, 33.33% Организация не определена 6 цитирований, 33.33%
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»	Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 3, 16.67% Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» 3 цитирования, 16.67%
Университет Флориды	Университет Флориды, 3, 16.67% Университет Флориды 3 цитирования, 16.67%
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН	Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 2, 11.11% Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН 2 цитирования, 11.11%
Университет штата Пенсильвания	Университет штата Пенсильвания, 2, 11.11% Университет штата Пенсильвания 2 цитирования, 11.11%
Физико-технологический институт имени К.А. Валиева	Физико-технологический институт имени К.А. Валиева, 1, 5.56% Физико-технологический институт имени К.А. Валиева 1 цитирование, 5.56%
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского	Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 1, 5.56% Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского 1 цитирование, 5.56%
Университет Азад Джамму и Кашмир	Университет Азад Джамму и Кашмир, 1, 5.56% Университет Азад Джамму и Кашмир 1 цитирование, 5.56%
Нанкинский университет почты и телекоммуникаций	Нанкинский университет почты и телекоммуникаций, 1, 5.56% Нанкинский университет почты и телекоммуникаций 1 цитирование, 5.56%
Межуниверситетский акселераторный центр	Межуниверситетский акселераторный центр, 1, 5.56% Межуниверситетский акселераторный центр 1 цитирование, 5.56%
Национальная ускорительная лаборатория SLAC	Национальная ускорительная лаборатория SLAC, 1, 5.56% Национальная ускорительная лаборатория SLAC 1 цитирование, 5.56%
Стэнфордский университет	Стэнфордский университет, 1, 5.56% Стэнфордский университет 1 цитирование, 5.56%
Университет Седжонга	Университет Седжонга, 1, 5.56% Университет Седжонга 1 цитирование, 5.56%
Городской университет Гонконга	Городской университет Гонконга, 1, 5.56% Городской университет Гонконга 1 цитирование, 5.56%
Гонконгский университет науки и технологий	Гонконгский университет науки и технологий, 1, 5.56% Гонконгский университет науки и технологий 1 цитирование, 5.56%
Ратгерский университет	Ратгерский университет, 1, 5.56% Ратгерский университет 1 цитирование, 5.56%
Ливерморская национальная лаборатория	Ливерморская национальная лаборатория, 1, 5.56% Ливерморская национальная лаборатория 1 цитирование, 5.56%
Университет штата Нью-Йорк в Буффало	Университет штата Нью-Йорк в Буффало, 1, 5.56% Университет штата Нью-Йорк в Буффало 1 цитирование, 5.56%
Калифорнийский университет в Санта-Барбаре	Калифорнийский университет в Санта-Барбаре, 1, 5.56% Калифорнийский университет в Санта-Барбаре 1 цитирование, 5.56%
Шаньдунский университет	Шаньдунский университет, 1, 5.56% Шаньдунский университет 1 цитирование, 5.56%
Ок-Риджская национальная лаборатория	Ок-Риджская национальная лаборатория, 1, 5.56% Ок-Риджская национальная лаборатория 1 цитирование, 5.56%
Университет Центральной Флориды	Университет Центральной Флориды, 1, 5.56% Университет Центральной Флориды 1 цитирование, 5.56%
Университет Теннесси	Университет Теннесси, 1, 5.56% Университет Теннесси 1 цитирование, 5.56%
Люблинский медицинский университет	Люблинский медицинский университет, 1, 5.56% Люблинский медицинский университет 1 цитирование, 5.56%
Университет Марии Кюри-Склодовской	Университет Марии Кюри-Склодовской, 1, 5.56% Университет Марии Кюри-Склодовской 1 цитирование, 5.56%
	1 2 3 4 5 6

Клевцов Антон Игоревич

Области научных интересов

Навыки

Дополнительные ссылки

Лаборатории

Аффилиации

Образование

Топ-100

Журналы

Цитирующие журналы

Цитируемые журналы

Издатели

Организации из публикаций

Страны из публикаций

Цитирующие организации

Цитирующие страны

Карасеов Платон

Титов Андрей

Федоренко Елизавета

Студзинский Виталий