Лаборатория "Физика взаимодействия излучения с веществом" ВИФШ ИЭиТ СПбПУ
Публикаций
78
Цитирований
1 005
Индекс Хирша
19
Необходимо авторизоваться.
Исследование процессов образования и отжига радиационных нарушений в полупроводниках при облучении ускоренными ионами, а также дифракционных процессов при взаимодействии электронов с кристаллами. Лаборатория была организована проф. М.А. Еремеевым и развивалась трудами профессоров И.А. Аброяна, Н.Н. Петрова, В.В. Макарова, А.А. Дорожкина.
- XRD
- Атомно-силовая микроскопия (АСМ)
- ИК-Фурье спектроскопия
- Ионные пучки
- Компьютерное моделирование физических свойств материалов на атомно-молекулярном уровне методами молекулярной динамики и Монте-Карло
- РФЭС-спектроскопия
- Резерфордовское обратное рассеяния (РОР) (Rutherford backscattering spectrometry (RBS))
- Рентгеновская дифракция
- Сканирующая электронная микроскопия (СЭМ)
- Спектроскопия комбинационного рассеяния света (Raman spectroscopy))
- Электрофизические измерения
- Эффект Холла и транспортные свойства
Андрей Титов
Заведующий
Платон Карасеов
Профессор
Елизавета Федоренко
Аспирант
Виталий Студзинский
Лаборант-исследователь
Всего публикаций
106
Всего цитирований
1134
Цитирований на публикацию
10.7
Среднее число публикаций в год
2.21
Годы публикаций
1977-2024 (48 лет)
h-index
20
i10-index
45
m-index
0.42
o-index
48
g-index
28
w-index
3
Описание метрик
h-index
Учёный имеет индекс h, если h из его N статей цитируются как минимум h раз каждая, в то время как оставшиеся (N - h) статей цитируются не более чем h раз каждая.
i10-index
Число статей автора, получивших не менее 10 ссылок каждая.
m-index
m-индекс ученого численно равен отношению его h-индекса к количеству лет, прошедших с момента первой публикации.
o-index
Среднее геометрическое h-индекса и числа цитирований наиболее цитируемой статьи ученого.
g-index
Для данного множества статей, отсортированного в порядке убывания количества цитирований, которые получили эти статьи, g-индекс это наибольшее число, такое что g самых цитируемых статей получили (суммарно) не менее g2 цитирований.
w-index
Если w статей ученого имеют не менее 10w цитирований каждая и другие статьи меньше, чем 10(w+1) цитирований, то w-индекс исследователя равен w.
Топ-100
Области наук
|
5
10
15
20
25
30
35
|
|
|
Condensed Matter Physics
|
Condensed Matter Physics, 33, 31.13%
Condensed Matter Physics
33 публикации, 31.13%
|
|
Instrumentation
|
Instrumentation, 25, 23.58%
Instrumentation
25 публикаций, 23.58%
|
|
Electronic, Optical and Magnetic Materials
|
Electronic, Optical and Magnetic Materials, 22, 20.75%
Electronic, Optical and Magnetic Materials
22 публикации, 20.75%
|
|
Nuclear and High Energy Physics
|
Nuclear and High Energy Physics, 20, 18.87%
Nuclear and High Energy Physics
20 публикаций, 18.87%
|
|
Surfaces, Coatings and Films
|
Surfaces, Coatings and Films, 18, 16.98%
Surfaces, Coatings and Films
18 публикаций, 16.98%
|
|
Atomic and Molecular Physics, and Optics
|
Atomic and Molecular Physics, and Optics, 12, 11.32%
Atomic and Molecular Physics, and Optics
12 публикаций, 11.32%
|
|
General Physics and Astronomy
|
General Physics and Astronomy, 11, 10.38%
General Physics and Astronomy
11 публикаций, 10.38%
|
|
Materials Chemistry
|
Materials Chemistry, 6, 5.66%
Materials Chemistry
6 публикаций, 5.66%
|
|
Electrical and Electronic Engineering
|
Electrical and Electronic Engineering, 4, 3.77%
Electrical and Electronic Engineering
4 публикации, 3.77%
|
|
General Materials Science
|
General Materials Science, 3, 2.83%
General Materials Science
3 публикации, 2.83%
|
|
Physics and Astronomy (miscellaneous)
|
Physics and Astronomy (miscellaneous), 3, 2.83%
Physics and Astronomy (miscellaneous)
3 публикации, 2.83%
|
|
Radiation
|
Radiation, 3, 2.83%
Radiation
3 публикации, 2.83%
|
|
Acoustics and Ultrasonics
|
Acoustics and Ultrasonics, 3, 2.83%
Acoustics and Ultrasonics
3 публикации, 2.83%
|
|
General Medicine
|
General Medicine, 2, 1.89%
General Medicine
2 публикации, 1.89%
|
|
Surfaces and Interfaces
|
Surfaces and Interfaces, 2, 1.89%
Surfaces and Interfaces
2 публикации, 1.89%
|
|
Metals and Alloys
|
Metals and Alloys, 1, 0.94%
Metals and Alloys
1 публикация, 0.94%
|
|
General Chemistry
|
General Chemistry, 1, 0.94%
General Chemistry
1 публикация, 0.94%
|
|
Multidisciplinary
|
Multidisciplinary, 1, 0.94%
Multidisciplinary
1 публикация, 0.94%
|
|
Mechanical Engineering
|
Mechanical Engineering, 1, 0.94%
Mechanical Engineering
1 публикация, 0.94%
|
|
General Engineering
|
General Engineering, 1, 0.94%
General Engineering
1 публикация, 0.94%
|
|
Mechanics of Materials
|
Mechanics of Materials, 1, 0.94%
Mechanics of Materials
1 публикация, 0.94%
|
|
5
10
15
20
25
30
35
|
Журналы
|
2
4
6
8
10
12
14
16
18
|
|
|
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
17 публикаций, 16.04%
|
|
|
Semiconductors
13 публикаций, 12.26%
|
|
|
Vacuum
8 публикаций, 7.55%
|
|
|
Springer Proceedings in Physics
8 публикаций, 7.55%
|
|
|
Journal of Applied Physics
7 публикаций, 6.6%
|
|
|
Journal of Surface Investigation
6 публикаций, 5.66%
|
|
|
Radiation Effects and Defects in Solids
5 публикаций, 4.72%
|
|
|
Journal of Physics: Conference Series
4 публикации, 3.77%
|
|
|
St Petersburg State Polytechnical University Journal Physics and Mathematics
4 публикации, 3.77%
|
|
|
Journal Physics D: Applied Physics
3 публикации, 2.83%
|
|
|
Russian Microelectronics
3 публикации, 2.83%
|
|
|
Technical Physics Letters
2 публикации, 1.89%
|
|
|
Physical Review B
2 публикации, 1.89%
|
|
|
Applied Physics Letters
1 публикация, 0.94%
|
|
|
Materials Science in Semiconductor Processing
1 публикация, 0.94%
|
|
|
APL Materials
1 публикация, 0.94%
|
|
|
Physica Status Solidi (B): Basic Research
1 публикация, 0.94%
|
|
|
Materials Physics and Mechanics
1 публикация, 0.94%
|
|
|
Surface and Coatings Technology
1 публикация, 0.94%
|
|
|
Scientific Reports
1 публикация, 0.94%
|
|
|
Thin Solid Films
1 публикация, 0.94%
|
|
|
Advanced Materials Interfaces
1 публикация, 0.94%
|
|
|
Semiconductor Science and Technology
1 публикация, 0.94%
|
|
|
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
1 публикация, 0.94%
|
|
|
Soviet Physics Uspekhi
1 публикация, 0.94%
|
|
|
Radiation Effects
1 публикация, 0.94%
|
|
|
Nuclear Instruments and Methods
1 публикация, 0.94%
|
|
|
2
4
6
8
10
12
14
16
18
|
Цитирующие журналы
Цитируемые журналы
Издатели
|
5
10
15
20
25
30
|
|
|
Elsevier
29 публикаций, 27.36%
|
|
|
Pleiades Publishing
24 публикации, 22.64%
|
|
|
Springer Nature
9 публикаций, 8.49%
|
|
|
AIP Publishing
9 публикаций, 8.49%
|
|
|
IOP Publishing
9 публикаций, 8.49%
|
|
|
Taylor & Francis
6 публикаций, 5.66%
|
|
|
Saint Petersburg State Polytechnical University
5 публикаций, 4.72%
|
|
|
Wiley
2 публикации, 1.89%
|
|
|
American Physical Society (APS)
2 публикации, 1.89%
|
|
|
SPIE-Intl Soc Optical Eng
1 публикация, 0.94%
|
|
|
5
10
15
20
25
30
|
Организации из публикаций
Страны из публикаций
|
10
20
30
40
50
60
70
80
90
|
|
|
Россия
|
Россия, 89, 83.96%
Россия
89 публикаций, 83.96%
|
|
Страна не определена
|
Страна не определена, 17, 16.04%
Страна не определена
17 публикаций, 16.04%
|
|
США
|
США, 13, 12.26%
США
13 публикаций, 12.26%
|
|
Норвегия
|
Норвегия, 11, 10.38%
Норвегия
11 публикаций, 10.38%
|
|
Индия
|
Индия, 8, 7.55%
Индия
8 публикаций, 7.55%
|
|
Австралия
|
Австралия, 7, 6.6%
Австралия
7 публикаций, 6.6%
|
|
Китай
|
Китай, 4, 3.77%
Китай
4 публикации, 3.77%
|
|
Республика Корея
|
Республика Корея, 4, 3.77%
Республика Корея
4 публикации, 3.77%
|
|
Финляндия
|
Финляндия, 4, 3.77%
Финляндия
4 публикации, 3.77%
|
|
Болгария
|
Болгария, 3, 2.83%
Болгария
3 публикации, 2.83%
|
|
Германия
|
Германия, 2, 1.89%
Германия
2 публикации, 1.89%
|
|
Великобритания
|
Великобритания, 2, 1.89%
Великобритания
2 публикации, 1.89%
|
|
Швеция
|
Швеция, 2, 1.89%
Швеция
2 публикации, 1.89%
|
|
Латвия
|
Латвия, 1, 0.94%
Латвия
1 публикация, 0.94%
|
|
Япония
|
Япония, 1, 0.94%
Япония
1 публикация, 0.94%
|
|
10
20
30
40
50
60
70
80
90
|
Цитирующие организации
Цитирующие страны
- Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
- Статистика пересчитывается раз в сутки.
Направления исследований
Кристализация разупорядоченных нанообластей в кремнии
+
Рассмотрен статистический подход к твёрдофазной эпитаксиальной кристаллизации индивидуальных разупорядоченных областей, образующихся при облучении кремния ионами. Выведены распределения вероятностей генерации событий, ответственных за протекание подобной кристаллизации и показано, что в результате «игры случайностей» должен иметь место большой разброс «жизненных циклов» для одинаковых исходных областей, что и наблюдается экспериментально.
Электрическая изоляция широкозонных полупроводников облучением легкими ионами с энергией ~МэВ
+
Исследованы физическая природа повышения удельного сопротивления широкозонных полупроводников в результате их облучения лёгкими быстрыми ионами, которое может достигать 10 порядков и быть достаточно термоустойчивым. Предложен механизм данного явления и проведены соответствующие теоретические расчёты. Компьютерным моделированием показано, что данный механизм хорошо объясняет экспериментальные результаты для таких полупроводников, как GaN, ZnO и AlGaAs.
Накопление структурных нарушений при облучении полупроводников легкими медленными ионами
+
Это направление исследований является традиционным для лаборатории. Исследования радиационного повреждения полупроводников ионами с энергиями 1-10 кэВ в широком диапазоне масс и плотностей тока ионов были начаты в конце 60-х годов прошлого века и являлись пионерскими. Для этих исследований были разработаны оригинальные методы in situ анализа состояния структуры, основанные на анизотропии ионно-электронной эмиссии и неупругого обратного рассеяния электронов. С их использованием получен очень большой объём экспериментальных данных и выявлено большое число закономерностей.
Последние результаты посвящены экспериментальным исследованиям накопления дефектов при имплантации лёгких ионов в Si и GaAs при комнатной и повышенных температурах. Установлено, что повреждение этих материалов при комнатной температуре происходит как нарастание на поверхности аморфного слоя, причём для кремния существует пороговая доза, только после превышения которой начинается процесс послойной поверхностной аморфизации. Предложен механизм, объясняющий все наблюдаемые закономерности. Результаты моделирования на его основе показали очень хорошее согласие не только с нашими экспериментальными данными, но и с данными других авторов.
Молекулярный эффект при накоплении структурных нарушений в полупроводниках
+
Исследовано усиление образования устойчивых радиационных дефектов при облучении полупроводников молекулярными ионами по сравнению со случаем имплантации атомарных ионов с той же скоростью. Нами установлено, например, что в случае облучения GaN биатомарными ионами Bi эффективность введения таких дефектов в расчёте на атомную частицу возрастает в десятки раз по сравнению с внедрением атомарных ионов. Выявлен ряд закономерностей молекулярного эффекта. В частности, обнаружено влияние плотности потока ионов при имплантации лёгких частиц. Предложены механизмы данного эффекта как для случая бомбардировки тяжёлыми, так и лёгкими ионами. Результаты моделирования показывают их удовлетворительное соответствие экспериментальным данным.
Накопление структурных нарушений в кремнии при малой плотности каскадов смещений, создаваемых ионами
+
Это также традиционное направление работ лаборатории, развиваемое с середины 70-х годов. В этих исследованиях были обнаружены, в частности, такие закономерности, как неаддитивность и некоммутативность процесса накопления дефектов в данных условиях, S – образность дозовой зависимости концентрации структурных нарушений и т. д. В последних работах исследовано накопление дефектов при имплантации в кремний ионов азота с энергией 40 кэВ и ионов висмута с энергией 0.5 МэВ. Установлено, что при комнатной температуре облучения имеют место 4 этапа повреждения последовательно сменяющие друг друга по мере накопления структурных нарушений, причём только на одном из них скорость введения устойчивых дефектов зависит от плотности потока ионов. Предложены механизмы радиационного повреждения, которые в ряде случаев промоделированы.
Образование дефектов в GaN, бомбардируемом ионами
+
Исследовано накопление дефектов в GaN широком диапазоне масс, энергий и плотностей потока ионов как при комнатной, так и температуре жидкого азота. Все экспериментальные исследования проводились в Австралийском национальном университете. Наше участие сводилось к обсуждению экспериментальных результатов и рекомендациям по постановке некоторых экспериментов.
Ионно-стимулированные эпитаксильная кристализация и планарное нарастание аморфных слоев в полупроводниках
+
Это явление было обнаружено в нашей лаборатории в 1968 году, но в то время не было ещё достаточно осознано. В дальнейшем был получен обширный экспериментальный материал, в частности, по зависимостям критической температуры перехода от планарного нарастания к кристаллизации аморфных слоёв от плотности потока ионов, обнаружен этот эффект при облучении GaAs, изучены зависимости формирования квазистационарных аморфных слоёв. Была предложена модель, объясняющая природу данных эффектов, которая удовлетворительно описывает большой объём экспериментальных данных.
Построение обобщенной теории дифракции излучений на колеблющейся решетке кристалла
+
Разрабатывается в аналитическом виде теория дифракции излучений (электронов, рентгеновских лучей, нейтронов) в случае любых амплитуд колебаний атомов, т.е. вне рамок малоамплитудного приближения. Таким образом, появляется возможность аналитически описать не только случаи дифракции в условиях высокоамплитудных колебаний в кристалле (например, в результате ультразвуковой накачки), но и фононный спектр перебросного рассеяния вблизи брэгговских рефлексов, где не работает малоамплитудное приближение.
Дифракция электронов на мягком кристаллическом потенциале
+
Рассматривается дифракция электронов в модели мягкого или деформационного потенциала. В этой модели, в отличие от общепринятой модели суперпозиции атомных потенциалов (иначе – модель жестких атомных потенциалов), учитывается непрерывная деформируемость распределенных в кристалле ионной и электронной плотностей при воздействии продольных колебаний, в т.ч. фононных. Такое поведение среды приводит к появлению разрывов первого рода на границах зон Бриллюэна в спектрах рассеяния (и на картинах дифракции) электронов. Некоторые из предсказанных для металлов, полупроводников и диэлектриков эффектов обнаружены в экспериментальных наблюдениях в электронной микроскопии.
Динамическая теория дифракции электронов в кристаллах
+
Проводится исследование и построение динамической теории, описывающей дифракцию электронов в нецентросимметричных кристаллах без привлечения общеупотребимой мнимой добавки к потенциалу для описания поглощения электронов. С помощью одного из первых вариантов такой теории описаны асимметрия и контраст картин каналирования электронов для нецентросимметричнного кристалла карбида кремния.
Публикации и патенты
Найдено
Ничего не найдено, попробуйте изменить настройки фильтра.
Алексей Николаевич Казакин, Платон Александрович Карасев, Иван Михайлович Комаревцев, Анастасия Сергеевна Кондратьева, Яков Борисович Эннс
RU2819863C1,
2024
Владимир Юрьевич Сергеев, Платон Александрович Карасев, Татьяна Владимировна Черноизюмская, Дмитрий Дмитриевич Коробко
RU224312U1,
2024
Александр Иванович Сидоров, Николай Валентинович Никоноров, Вероника Васильевна Горбяк, Олег Алексеевич Подсвиров, Ульяна Валерьевна Юрина
RU2674402C1,
2018
Александр Иванович Сидоров (RU), Александр Иванович Сидоров, Николай Валентинович Никоноров (RU), Николай Валентинович Никоноров, Александр Иванович Игнатьев (RU), Александр Иванович Игнатьев, Олег Алексеевич Подсвиров (RU), Олег Алексеевич Подсвиров, Андрей Александрович Жигалов (RU), Андрей Александрович Жигалов
RU2010145640A,
2012
Александр Иванович Сидоров (RU), Александр Иванович Сидоров, Николай Валентинович Никоноров (RU), Николай Валентинович Никоноров, Виктор Алексеевич Цехомский (RU), Виктор Алексеевич Цехомский, Александр Иванович Игнатьев (RU), Александр Иванович Игнатьев, Олег Алексеевич Подсвиров (RU), Олег Алексеевич Подсвиров, Алексей Викторович Нащекин (RU), Алексей Викторович Нащекин, Олег Алексеевич Усов (RU), Олег Алексеевич Усов
RU2411180C1,
2011
Николай Валентинович Никоноров (RU), Николай Валентинович Никоноров, Виктор Алексеевич Цехомский (RU), Виктор Алексеевич Цехомский, Александр Иванович Сидоров (RU), Александр Иванович Сидоров, Алексей Викторович Нащекин (RU), Алексей Викторович Нащекин, Олег Алексеевич Усов (RU), Олег Алексеевич Усов, Олег Алексеевич Подсвиров (RU), Олег Алексеевич Подсвиров, Сергей Владимирович Поплевкин (RU), Сергей Владимирович Поплевкин
RU2008143850A,
2010
Виталий Вениаминович Макаров, Олег Алексеевич Подсвиров
SU1374106A1,
1988
2022
—
2024
| Титов Андрей Иванович
Партнёры
АО "НПП "ЭЛАР"
Адрес лаборатории
Политехническая ул., 29Б, 194064
Необходимо авторизоваться.