Всего публикаций
8
Всего цитирований
51
Цитирований на публикацию
6.38
Среднее число публикаций в год
1.6
Среднее число соавторов
10.63
Годы публикаций
2022-2026 (5 лет)
h-index
4
i10-index
2
m-index
0.8
o-index
10
g-index
7
w-index
1
Описание метрик
h-index
Учёный имеет индекс h, если h из его N статей цитируются как минимум h раз каждая, в то время как оставшиеся (N - h) статей цитируются не более чем h раз каждая.
i10-index
Число статей автора, получивших не менее 10 ссылок каждая.
m-index
m-индекс ученого численно равен отношению его h-индекса к количеству лет, прошедших с момента первой публикации.
o-index
Среднее геометрическое h-индекса и числа цитирований наиболее цитируемой статьи ученого.
g-index
Для данного множества статей, отсортированного в порядке убывания количества цитирований, которые получили эти статьи, g-индекс это наибольшее число, такое что g самых цитируемых статей получили (суммарно) не менее g2 цитирований.
w-index
Если w статей ученого имеют не менее 10w цитирований каждая и другие статьи меньше, чем 10(w+1) цитирований, то w-индекс исследователя равен w.

Топ-100

Области наук

1
2
Physics and Astronomy (miscellaneous), 2, 25%
Physics and Astronomy (miscellaneous)
2 публикации, 25%
1
2

Журналы

1
2
3
4
Applied Physics Letters
4 публикации, 50%
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes
1 публикация, 12.5%
Applied Surface Science
1 публикация, 12.5%
Semiconductor Science and Technology
1 публикация, 12.5%
Applied Physics Express
1 публикация, 12.5%
1
2
3
4

Цитирующие журналы

2
4
6
8
10
12
Applied Physics Letters
11 цитирований, 21.15%
IEEE Electron Device Letters
5 цитирований, 9.62%
Applied Physics Express
5 цитирований, 9.62%
Journal of Vacuum Science and Technology B
3 цитирования, 5.77%
Журнал не определён, 2, 3.85%
Журнал не определён
2 цитирования, 3.85%
ACS applied materials & interfaces
2 цитирования, 3.85%
Microelectronics Journal
2 цитирования, 3.85%
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
2 цитирования, 3.85%
Materials Science in Semiconductor Processing
2 цитирования, 3.85%
Journal of Applied Physics
2 цитирования, 3.85%
Surfaces and Interfaces
1 цитирование, 1.92%
Micromachines
1 цитирование, 1.92%
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes
1 цитирование, 1.92%
Journal of Physics: Conference Series
1 цитирование, 1.92%
Progress in Quantum Electronics
1 цитирование, 1.92%
Electronics (Switzerland)
1 цитирование, 1.92%
Physica Status Solidi (B): Basic Research
1 цитирование, 1.92%
Applied Surface Science
1 цитирование, 1.92%
Diamond and Related Materials
1 цитирование, 1.92%
Crystals
1 цитирование, 1.92%
Rare Metals
1 цитирование, 1.92%
Journal of Physics and Chemistry of Solids
1 цитирование, 1.92%
Semiconductor Science and Technology
1 цитирование, 1.92%
Journal of Materials Science and Technology
1 цитирование, 1.92%
IEEE Transactions on Electron Devices
1 цитирование, 1.92%
IEEE Microwave and Wireless Technology Letters
1 цитирование, 1.92%
2
4
6
8
10
12

Цитируемые журналы

10
20
30
40
50
60
IEEE Electron Device Letters
56 цитирований, 20.44%
Applied Physics Letters
52 цитирования, 18.98%
IEEE Transactions on Electron Devices
40 цитирований, 14.6%
Journal of Applied Physics
13 цитирований, 4.74%
Applied Physics Express
11 цитирований, 4.01%
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes
9 цитирований, 3.28%
Journal of Crystal Growth
7 цитирований, 2.55%
Semiconductor Science and Technology
6 цитирований, 2.19%
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
4 цитирования, 1.46%
IEEE Transactions on Power Electronics
4 цитирования, 1.46%
IEEE Journal of the Electron Devices Society
3 цитирования, 1.09%
Applied Surface Science
3 цитирования, 1.09%
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
3 цитирования, 1.09%
Materials Letters
2 цитирования, 0.73%
Micromachines
2 цитирования, 0.73%
ACS applied materials & interfaces
2 цитирования, 0.73%
IEEE Microwave and Wireless Components Letters
2 цитирования, 0.73%
Solid-State Electronics
2 цитирования, 0.73%
Physical Review Letters
2 цитирования, 0.73%
Electronics (Switzerland)
2 цитирования, 0.73%
Diamond and Related Materials
2 цитирования, 0.73%
Journal of Electronic Materials
2 цитирования, 0.73%
Electronics Letters
2 цитирования, 0.73%
Superlattices and Microstructures
2 цитирования, 0.73%
IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics
2 цитирования, 0.73%
Proceedings of the IEEE
2 цитирования, 0.73%
Physical Review B
2 цитирования, 0.73%
physica status solidi (c)
2 цитирования, 0.73%
Journal of Chemical Physics
1 цитирование, 0.36%
Nature Communications
1 цитирование, 0.36%
Microelectronics Journal
1 цитирование, 0.36%
Journal of Materials Chemistry C
1 цитирование, 0.36%
Materials Today
1 цитирование, 0.36%
Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films
1 цитирование, 0.36%
Materials Science in Semiconductor Processing
1 цитирование, 0.36%
APL Materials
1 цитирование, 0.36%
Journal of Physical Chemistry C
1 цитирование, 0.36%
Nanomaterials
1 цитирование, 0.36%
Nano Letters
1 цитирование, 0.36%
Vacuum
1 цитирование, 0.36%
Crystal Growth and Design
1 цитирование, 0.36%
ACS Photonics
1 цитирование, 0.36%
Journal Physics D: Applied Physics
1 цитирование, 0.36%
Journal of Physical Chemistry B
1 цитирование, 0.36%
Physica B: Condensed Matter
1 цитирование, 0.36%
IEEE Microwave Magazine
1 цитирование, 0.36%
Nanoscale Research Letters
1 цитирование, 0.36%
Surface and Interface Analysis
1 цитирование, 0.36%
Wireless Communications and Mobile Computing
1 цитирование, 0.36%
Nature Photonics
1 цитирование, 0.36%
Journal of Vacuum Science and Technology B
1 цитирование, 0.36%
Journal of the American Ceramic Society
1 цитирование, 0.36%
Materials
1 цитирование, 0.36%
IEEE Access
1 цитирование, 0.36%
phys stat sol (a)
1 цитирование, 0.36%
Journal of Vacuum Science & Technology B Microelectronics and Nanometer Structures Processing Measurement and Phenomena
1 цитирование, 0.36%
Electrochemical and Solid-State Letters
1 цитирование, 0.36%
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena
1 цитирование, 0.36%
Discussions of the Faraday Society
1 цитирование, 0.36%
ACS Applied Electronic Materials
1 цитирование, 0.36%
IEEE Microwave and Wireless Technology Letters
1 цитирование, 0.36%
10
20
30
40
50
60

Издатели

1
2
3
4
AIP Publishing
4 публикации, 50%
Japan Society of Applied Physics
2 публикации, 25%
Elsevier
1 публикация, 12.5%
IOP Publishing
1 публикация, 12.5%
1
2
3
4

Организации из публикаций

1
2
3
4
5
6
7
Университет науки и технологий Китая
7 публикаций, 87.5%
Сучжоуский институт нанотехнологий и нанобионики Китайской академии наук
7 публикаций, 87.5%
Организация не определена, 1, 12.5%
Организация не определена
1 публикация, 12.5%
Шанхайский технологический университет
1 публикация, 12.5%
1
2
3
4
5
6
7

Страны из публикаций

1
2
3
4
5
6
7
Китай, 7, 87.5%
Китай
7 публикаций, 87.5%
Страна не определена, 2, 25%
Страна не определена
2 публикации, 25%
1
2
3
4
5
6
7

Цитирующие организации

2
4
6
8
10
Организация не определена, 10, 19.61%
Организация не определена
10 цитирований, 19.61%
Сучжоуский институт нанотехнологий и нанобионики Китайской академии наук
10 цитирований, 19.61%
Университет науки и технологий Китая
8 цитирований, 15.69%
Сидяньский университет
5 цитирований, 9.8%
Университет Китайской академии наук
4 цитирования, 7.84%
Университет Лилля
3 цитирования, 5.88%
Пекинский университет
2 цитирования, 3.92%
Линчёпингский университет
2 цитирования, 3.92%
Пекинский технологический университет
2 цитирования, 3.92%
Шанхайский технологический университет
2 цитирования, 3.92%
Нагойский университет
2 цитирования, 3.92%
Токийский университет
2 цитирования, 3.92%
Университет Валансьена
2 цитирования, 3.92%
Институт микроэлектроники, Китайская академия наук
2 цитирования, 3.92%
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
1 цитирование, 1.96%
Воронежский государственный университет
1 цитирование, 1.96%
Белорусский государственный университет
1 цитирование, 1.96%
Пекинский технологический институт
1 цитирование, 1.96%
Лундский университет
1 цитирование, 1.96%
Нанкинский университет
1 цитирование, 1.96%
Наньянский технологический университет
1 цитирование, 1.96%
Тяньцзиньский университет
1 цитирование, 1.96%
Университет Райса
1 цитирование, 1.96%
Национальный университет Ян Мин Цзяотун
1 цитирование, 1.96%
Международный микроэлектронный научно-исследовательский центр
1 цитирование, 1.96%
Северо-Западный университет
1 цитирование, 1.96%
Университет Корё
1 цитирование, 1.96%
Университет штата Аризона
1 цитирование, 1.96%
Калифорнийский университет в Лос-Анджелесе
1 цитирование, 1.96%
Калифорнийский университет в Санта-Барбаре
1 цитирование, 1.96%
Техасский университет в Далласе
1 цитирование, 1.96%
Брюссельский свободный университет
1 цитирование, 1.96%
Институт прикладной физики твердого тела им. Фраунгофера
1 цитирование, 1.96%
Институт полупроводников Китайской академии наук
1 цитирование, 1.96%
Университет Висконсин в Мадисоне
1 цитирование, 1.96%
Университет Васэда
1 цитирование, 1.96%
Институт электроники, микроэлектроники и нанотехнологий
1 цитирование, 1.96%
Университет Юты
1 цитирование, 1.96%
Университет Лазурного берега
1 цитирование, 1.96%
Пекинский институт наноэнергетики и наносистем Китайской академии наук
1 цитирование, 1.96%
Ирландский национальный университет в Корке
1 цитирование, 1.96%
Шанхайский институт микросистем и информационных технологий, Китайская академия наук
1 цитирование, 1.96%
Академия наук провинции Гуандун
1 цитирование, 1.96%
2
4
6
8
10

Цитирующие страны

5
10
15
20
25
30
Китай, 26, 50.98%
Китай
26 цитирований, 50.98%
Страна не определена, 10, 19.61%
Страна не определена
10 цитирований, 19.61%
США, 6, 11.76%
США
6 цитирований, 11.76%
Япония, 5, 9.8%
Япония
5 цитирований, 9.8%
Франция, 3, 5.88%
Франция
3 цитирования, 5.88%
Германия, 2, 3.92%
Германия
2 цитирования, 3.92%
Швеция, 2, 3.92%
Швеция
2 цитирования, 3.92%
Россия, 1, 1.96%
Россия
1 цитирование, 1.96%
Беларусь, 1, 1.96%
Беларусь
1 цитирование, 1.96%
Бельгия, 1, 1.96%
Бельгия
1 цитирование, 1.96%
Гонконг (САР), 1, 1.96%
Гонконг (САР)
1 цитирование, 1.96%
Ирландия, 1, 1.96%
Ирландия
1 цитирование, 1.96%
Республика Корея, 1, 1.96%
Республика Корея
1 цитирование, 1.96%
Сингапур, 1, 1.96%
Сингапур
1 цитирование, 1.96%
Швейцария, 1, 1.96%
Швейцария
1 цитирование, 1.96%
Тайвань, 1, 1.96%
Тайвань
1 цитирование, 1.96%
5
10
15
20
25
30
  • Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
  • Статистика пересчитывается раз в сутки.