57193202312

R-8029-2016

Резванов Аскар Анварович

Askar A Rezvanov

Публикаций

Цитирований

123

Индекс Хирша

0000-0002-1677-9122

57193202312

R-8029-2016

Это ваш профиль?

Войдите на сайт через ORCID, чтобы подключить этот профиль.

Войти с ORCID

Аффилиации

Московский физико-технический институт

2018 — 2024

Физико-технологический институт имени К.А. Валиева

2024

Международный микроэлектронный научно-исследовательский центр

2019

Всего публикаций

Всего цитирований

123

Цитирований на публикацию

4.92

Среднее число публикаций в год

2.27

Среднее число соавторов

5.64

Годы публикаций

2016-2026 (11 лет)

h-index

i10-index

m-index

0.64

o-index

g-index

w-index

Описание метрик

h-index

Учёный имеет индекс h, если h из его N статей цитируются как минимум h раз каждая, в то время как оставшиеся (N - h) статей цитируются не более чем h раз каждая.

https://www.pnas.org/doi/full/10.1073/pnas.0507655102

i10-index

Число статей автора, получивших не менее 10 ссылок каждая.

https://scholar.googleblog.com/2011/11/google-scholar-citations-open-to-all.html

m-index

m-индекс ученого численно равен отношению его h-индекса к количеству лет, прошедших с момента первой публикации.

https://harzing.com/publications/white-papers/reflections-on-the-h-index

o-index

Среднее геометрическое h-индекса и числа цитирований наиболее цитируемой статьи ученого.

https://arxiv.org/abs/1511.01545

g-index

Для данного множества статей, отсортированного в порядке убывания количества цитирований, которые получили эти статьи, g-индекс это наибольшее число, такое что g самых цитируемых статей получили (суммарно) не менее g² цитирований.

https://doi.org/10.1007/s11192-006-0144-7

w-index

Если w статей ученого имеют не менее 10w цитирований каждая и другие статьи меньше, чем 10(w+1) цитирований, то w-индекс исследователя равен w.

https://doi.org/10.1002/asi.21276

Топ-100

Области наук

	2 4 6 8 10
Electronic, Optical and Magnetic Materials	Electronic, Optical and Magnetic Materials, 10, 40% Electronic, Optical and Magnetic Materials 10 публикаций, 40%
Condensed Matter Physics	Condensed Matter Physics, 10, 40% Condensed Matter Physics 10 публикаций, 40%
Materials Chemistry	Materials Chemistry, 9, 36% Materials Chemistry 9 публикаций, 36%
Electrical and Electronic Engineering	Electrical and Electronic Engineering, 7, 28% Electrical and Electronic Engineering 7 публикаций, 28%
Surfaces, Coatings and Films	Surfaces, Coatings and Films, 5, 20% Surfaces, Coatings and Films 5 публикаций, 20%
Electrochemistry	Electrochemistry, 3, 12% Electrochemistry 3 публикации, 12%
Surfaces and Interfaces	Surfaces and Interfaces, 3, 12% Surfaces and Interfaces 3 публикации, 12%
Process Chemistry and Technology	Process Chemistry and Technology, 2, 8% Process Chemistry and Technology 2 публикации, 8%
General Materials Science	General Materials Science, 2, 8% General Materials Science 2 публикации, 8%
Instrumentation	Instrumentation, 2, 8% Instrumentation 2 публикации, 8%
General Chemistry	General Chemistry, 1, 4% General Chemistry 1 публикация, 4%
Spectroscopy	Spectroscopy, 1, 4% Spectroscopy 1 публикация, 4%
General Medicine	General Medicine, 1, 4% General Medicine 1 публикация, 4%
General Physics and Astronomy	General Physics and Astronomy, 1, 4% General Physics and Astronomy 1 публикация, 4%
Acoustics and Ultrasonics	Acoustics and Ultrasonics, 1, 4% Acoustics and Ultrasonics 1 публикация, 4%
Automotive Engineering	Automotive Engineering, 1, 4% Automotive Engineering 1 публикация, 4%
	2 4 6 8 10

Журналы

	1 2 3 4 5
Russian Microelectronics	Russian Microelectronics, 5, 20% Russian Microelectronics 5 публикаций, 20%
Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films	Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films, 2, 8% Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films 2 публикации, 8%
Journal of Vacuum Science and Technology B	Journal of Vacuum Science and Technology B, 2, 8% Journal of Vacuum Science and Technology B 2 публикации, 8%
ACS Applied Electronic Materials	ACS Applied Electronic Materials, 2, 8% ACS Applied Electronic Materials 2 публикации, 8%
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering	Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering, 2, 8% Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering 2 публикации, 8%
Physica Status Solidi (B): Basic Research	Physica Status Solidi (B): Basic Research, 1, 4% Physica Status Solidi (B): Basic Research 1 публикация, 4%
Materials Chemistry and Physics	Materials Chemistry and Physics, 1, 4% Materials Chemistry and Physics 1 публикация, 4%
Applied Surface Science	Applied Surface Science, 1, 4% Applied Surface Science 1 публикация, 4%
Journal Physics D: Applied Physics	Journal Physics D: Applied Physics, 1, 4% Journal Physics D: Applied Physics 1 публикация, 4%
Langmuir	Langmuir, 1, 4% Langmuir 1 публикация, 4%
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering	Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 1, 4% Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 1 публикация, 4%
Modern Electronic Materials	Modern Electronic Materials, 1, 4% Modern Electronic Materials 1 публикация, 4%
	1 2 3 4 5

Цитирующие журналы

	2 4 6 8 10 12 14 16 18
Russian Microelectronics	Russian Microelectronics, 17, 13.82% Russian Microelectronics 17 цитирований, 13.82%
Journal Physics D: Applied Physics	Journal Physics D: Applied Physics, 10, 8.13% Journal Physics D: Applied Physics 10 цитирований, 8.13%
Plasma Processes and Polymers	Plasma Processes and Polymers, 9, 7.32% Plasma Processes and Polymers 9 цитирований, 7.32%
Журнал не определён	Журнал не определён, 6, 4.88% Журнал не определён 6 цитирований, 4.88%
Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films	Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films, 5, 4.07% Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films 5 цитирований, 4.07%
ECS Journal of Solid State Science and Technology	ECS Journal of Solid State Science and Technology, 4, 3.25% ECS Journal of Solid State Science and Technology 4 цитирования, 3.25%
ACS Applied Electronic Materials	ACS Applied Electronic Materials, 4, 3.25% ACS Applied Electronic Materials 4 цитирования, 3.25%
Nanomaterials	Nanomaterials, 3, 2.44% Nanomaterials 3 цитирования, 2.44%
Journal of Non-Crystalline Solids	Journal of Non-Crystalline Solids, 3, 2.44% Journal of Non-Crystalline Solids 3 цитирования, 2.44%
Coatings	Coatings, 3, 2.44% Coatings 3 цитирования, 2.44%
Applied Physics Reviews	Applied Physics Reviews, 2, 1.63% Applied Physics Reviews 2 цитирования, 1.63%
ACS applied materials & interfaces	ACS applied materials & interfaces, 2, 1.63% ACS applied materials & interfaces 2 цитирования, 1.63%
Microporous and Mesoporous Materials	Microporous and Mesoporous Materials, 2, 1.63% Microporous and Mesoporous Materials 2 цитирования, 1.63%
Frontiers of Chemical Science and Engineering	Frontiers of Chemical Science and Engineering, 2, 1.63% Frontiers of Chemical Science and Engineering 2 цитирования, 1.63%
Vacuum	Vacuum, 2, 1.63% Vacuum 2 цитирования, 1.63%
Journal of Applied Physics	Journal of Applied Physics, 2, 1.63% Journal of Applied Physics 2 цитирования, 1.63%
Applied Surface Science	Applied Surface Science, 2, 1.63% Applied Surface Science 2 цитирования, 1.63%
Journal of Physical Chemistry B	Journal of Physical Chemistry B, 2, 1.63% Journal of Physical Chemistry B 2 цитирования, 1.63%
Thin Solid Films	Thin Solid Films, 2, 1.63% Thin Solid Films 2 цитирования, 1.63%
Angewandte Chemie - International Edition	Angewandte Chemie - International Edition, 2, 1.63% Angewandte Chemie - International Edition 2 цитирования, 1.63%
Langmuir	Langmuir, 2, 1.63% Langmuir 2 цитирования, 1.63%
Angewandte Chemie	Angewandte Chemie, 2, 1.63% Angewandte Chemie 2 цитирования, 1.63%
IEEE Transactions on Materials for Electron Devices	IEEE Transactions on Materials for Electron Devices, 2, 1.63% IEEE Transactions on Materials for Electron Devices 2 цитирования, 1.63%
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing	IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, 1, 0.81% IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 1 цитирование, 0.81%
Materials Letters	Materials Letters, 1, 0.81% Materials Letters 1 цитирование, 0.81%
Micron	Micron, 1, 0.81% Micron 1 цитирование, 0.81%
Nature Communications	Nature Communications, 1, 0.81% Nature Communications 1 цитирование, 0.81%
Journal of Physics: Conference Series	Journal of Physics: Conference Series, 1, 0.81% Journal of Physics: Conference Series 1 цитирование, 0.81%
Applied Physics Letters	Applied Physics Letters, 1, 0.81% Applied Physics Letters 1 цитирование, 0.81%
Pharmaceutics	Pharmaceutics, 1, 0.81% Pharmaceutics 1 цитирование, 0.81%
Advanced Electronic Materials	Advanced Electronic Materials, 1, 0.81% Advanced Electronic Materials 1 цитирование, 0.81%
Plasma Sources Science and Technology	Plasma Sources Science and Technology, 1, 0.81% Plasma Sources Science and Technology 1 цитирование, 0.81%
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science	Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, 1, 0.81% Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science 1 цитирование, 0.81%
Journal of Sol-Gel Science and Technology	Journal of Sol-Gel Science and Technology, 1, 0.81% Journal of Sol-Gel Science and Technology 1 цитирование, 0.81%
Experimental Eye Research	Experimental Eye Research, 1, 0.81% Experimental Eye Research 1 цитирование, 0.81%
Polymers	Polymers, 1, 0.81% Polymers 1 цитирование, 0.81%
Physics of Plasmas	Physics of Plasmas, 1, 0.81% Physics of Plasmas 1 цитирование, 0.81%
Surface and Coatings Technology	Surface and Coatings Technology, 1, 0.81% Surface and Coatings Technology 1 цитирование, 0.81%
Phosphorus, Sulfur and Silicon and the Related Elements	Phosphorus, Sulfur and Silicon and the Related Elements, 1, 0.81% Phosphorus, Sulfur and Silicon and the Related Elements 1 цитирование, 0.81%
Scientific Reports	Scientific Reports, 1, 0.81% Scientific Reports 1 цитирование, 0.81%
High Energy Chemistry	High Energy Chemistry, 1, 0.81% High Energy Chemistry 1 цитирование, 0.81%
Applied Sciences (Switzerland)	Applied Sciences (Switzerland), 1, 0.81% Applied Sciences (Switzerland) 1 цитирование, 0.81%
Microelectronic Engineering	Microelectronic Engineering, 1, 0.81% Microelectronic Engineering 1 цитирование, 0.81%
ACS Omega	ACS Omega, 1, 0.81% ACS Omega 1 цитирование, 0.81%
Acta Physica Sinica	Acta Physica Sinica, 1, 0.81% Acta Physica Sinica 1 цитирование, 0.81%
Journal of Polymers and the Environment	Journal of Polymers and the Environment, 1, 0.81% Journal of Polymers and the Environment 1 цитирование, 0.81%
Journal of Membrane Science	Journal of Membrane Science, 1, 0.81% Journal of Membrane Science 1 цитирование, 0.81%
Plasma Physics Reports	Plasma Physics Reports, 1, 0.81% Plasma Physics Reports 1 цитирование, 0.81%
AIP Conference Proceedings	AIP Conference Proceedings, 1, 0.81% AIP Conference Proceedings 1 цитирование, 0.81%
Journal of Vacuum Science and Technology B	Journal of Vacuum Science and Technology B, 1, 0.81% Journal of Vacuum Science and Technology B 1 цитирование, 0.81%
Technical Physics Letters	Technical Physics Letters, 1, 0.81% Technical Physics Letters 1 цитирование, 0.81%
Materials	Materials, 1, 0.81% Materials 1 цитирование, 0.81%
Russian Technological Journal	Russian Technological Journal, 1, 0.81% Russian Technological Journal 1 цитирование, 0.81%
Plasma Research Express	Plasma Research Express, 1, 0.81% Plasma Research Express 1 цитирование, 0.81%
Nanoenergy Advances	Nanoenergy Advances, 1, 0.81% Nanoenergy Advances 1 цитирование, 0.81%
Микроэлектроника	Микроэлектроника, 1, 0.81% Микроэлектроника 1 цитирование, 0.81%

	2 4 6 8 10 12 14 16 18

Издатели

	1 2 3 4 5
Pleiades Publishing	Pleiades Publishing, 5, 20% Pleiades Publishing 5 публикаций, 20%
American Vacuum Society	American Vacuum Society, 4, 16% American Vacuum Society 4 публикации, 16%
American Chemical Society (ACS)	American Chemical Society (ACS), 3, 12% American Chemical Society (ACS) 3 публикации, 12%
Elsevier	Elsevier, 2, 8% Elsevier 2 публикации, 8%
National University of Science & Technology (MISiS)	National University of Science & Technology (MISiS), 2, 8% National University of Science & Technology (MISiS) 2 публикации, 8%
Wiley	Wiley, 1, 4% Wiley 1 публикация, 4%
Pensoft Publishers	Pensoft Publishers, 1, 4% Pensoft Publishers 1 публикация, 4%
IOP Publishing	IOP Publishing, 1, 4% IOP Publishing 1 публикация, 4%
SPIE-Intl Soc Optical Eng	SPIE-Intl Soc Optical Eng, 1, 4% SPIE-Intl Soc Optical Eng 1 публикация, 4%
	1 2 3 4 5

Организации из публикаций

Страны из публикаций

	5 10 15 20 25
Россия	Россия, 23, 92% Россия 23 публикации, 92%
Бельгия	Бельгия, 6, 24% Бельгия 6 публикаций, 24%
Китай	Китай, 5, 20% Китай 5 публикаций, 20%
Германия	Германия, 3, 12% Германия 3 публикации, 12%
США	США, 3, 12% США 3 публикации, 12%
Япония	Япония, 3, 12% Япония 3 публикации, 12%
Финляндия	Финляндия, 2, 8% Финляндия 2 публикации, 8%
Страна не определена	Страна не определена, 1, 4% Страна не определена 1 публикация, 4%
Египет	Египет, 1, 4% Египет 1 публикация, 4%
	5 10 15 20 25

Цитирующие организации

Цитирующие страны

	5 10 15 20 25 30 35 40
Россия	Россия, 37, 30.08% Россия 37 цитирований, 30.08%
Китай	Китай, 26, 21.14% Китай 26 цитирований, 21.14%
Страна не определена	Страна не определена, 13, 10.57% Страна не определена 13 цитирований, 10.57%
США	США, 13, 10.57% США 13 цитирований, 10.57%
Бельгия	Бельгия, 12, 9.76% Бельгия 12 цитирований, 9.76%
Германия	Германия, 9, 7.32% Германия 9 цитирований, 7.32%
Япония	Япония, 6, 4.88% Япония 6 цитирований, 4.88%
Франция	Франция, 4, 3.25% Франция 4 цитирования, 3.25%
Бангладеш	Бангладеш, 3, 2.44% Бангладеш 3 цитирования, 2.44%
Республика Корея	Республика Корея, 3, 2.44% Республика Корея 3 цитирования, 2.44%
Египет	Египет, 2, 1.63% Египет 2 цитирования, 1.63%
Польша	Польша, 2, 1.63% Польша 2 цитирования, 1.63%
Финляндия	Финляндия, 2, 1.63% Финляндия 2 цитирования, 1.63%
Эстония	Эстония, 1, 0.81% Эстония 1 цитирование, 0.81%
Аргентина	Аргентина, 1, 0.81% Аргентина 1 цитирование, 0.81%
Израиль	Израиль, 1, 0.81% Израиль 1 цитирование, 0.81%
Индия	Индия, 1, 0.81% Индия 1 цитирование, 0.81%
Италия	Италия, 1, 0.81% Италия 1 цитирование, 0.81%
Канада	Канада, 1, 0.81% Канада 1 цитирование, 0.81%
Кения	Кения, 1, 0.81% Кения 1 цитирование, 0.81%
Швеция	Швеция, 1, 0.81% Швеция 1 цитирование, 0.81%
	5 10 15 20 25 30 35 40

Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
Статистика пересчитывается раз в сутки.

По данным ORCID

0000-0002-1677-9122

ACS Applied Nano Materials (1)

В этом разделе отображаются профили ученых, зарегистрированных на платформе. Чтобы отображался полный список, приглашайте коллег зарегистрироваться.

4 общих публикации

	2 4 6 8 10 12 14 16 18
Московский физико-технический институт	Московский физико-технический институт, 17, 68% Московский физико-технический институт 17 публикаций, 68%
Организация не определена	Организация не определена, 6, 24% Организация не определена 6 публикаций, 24%
МИРЭА — Российский технологический университет	МИРЭА — Российский технологический университет, 6, 24% МИРЭА — Российский технологический университет 6 публикаций, 24%
Физико-технологический институт имени К.А. Валиева	Физико-технологический институт имени К.А. Валиева, 5, 20% Физико-технологический институт имени К.А. Валиева 5 публикаций, 20%
Международный микроэлектронный научно-исследовательский центр	Международный микроэлектронный научно-исследовательский центр, 4, 16% Международный микроэлектронный научно-исследовательский центр 4 публикации, 16%
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова	Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 3, 12% Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова 3 публикации, 12%
Северо-Китайский технологический университет	Северо-Китайский технологический университет, 3, 12% Северо-Китайский технологический университет 3 публикации, 12%
Институт Фраунгофера по материаловедению и лучевым технологиям	Институт Фраунгофера по материаловедению и лучевым технологиям, 2, 8% Институт Фраунгофера по материаловедению и лучевым технологиям 2 публикации, 8%
Институт спектроскопии РАН	Институт спектроскопии РАН, 1, 4% Институт спектроскопии РАН 1 публикация, 4%
Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»	Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники», 1, 4% Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» 1 публикация, 4%
Центр им. Гельмгольца Дрезден-Россендорф	Центр им. Гельмгольца Дрезден-Россендорф, 1, 4% Центр им. Гельмгольца Дрезден-Россендорф 1 публикация, 4%
Институт поверхностной инженерии Лейбница	Институт поверхностной инженерии Лейбница, 1, 4% Институт поверхностной инженерии Лейбница 1 публикация, 4%
Университет Эль-Миньи	Университет Эль-Миньи, 1, 4% Университет Эль-Миньи 1 публикация, 4%
	2 4 6 8 10 12 14 16 18

	2 4 6 8 10 12 14 16 18
Организация не определена	Организация не определена, 17, 13.82% Организация не определена 17 цитирований, 13.82%
МИРЭА — Российский технологический университет	МИРЭА — Российский технологический университет, 16, 13.01% МИРЭА — Российский технологический университет 16 цитирований, 13.01%
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова	Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 10, 8.13% Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова 10 цитирований, 8.13%
Физико-технологический институт имени К.А. Валиева	Физико-технологический институт имени К.А. Валиева, 10, 8.13% Физико-технологический институт имени К.А. Валиева 10 цитирований, 8.13%
Московский физико-технический институт	Московский физико-технический институт, 9, 7.32% Московский физико-технический институт 9 цитирований, 7.32%
Национальный университет Чи Нань	Национальный университет Чи Нань, 7, 5.69% Национальный университет Чи Нань 7 цитирований, 5.69%
Северо-Китайский технологический университет	Северо-Китайский технологический университет, 6, 4.88% Северо-Китайский технологический университет 6 цитирований, 4.88%
Университет Фэн Цзя	Университет Фэн Цзя, 6, 4.88% Университет Фэн Цзя 6 цитирований, 4.88%
Национальный университет Формозы	Национальный университет Формозы, 6, 4.88% Национальный университет Формозы 6 цитирований, 4.88%
Институт поверхностной инженерии Лейбница	Институт поверхностной инженерии Лейбница, 6, 4.88% Институт поверхностной инженерии Лейбница 6 цитирований, 4.88%
Международный микроэлектронный научно-исследовательский центр	Международный микроэлектронный научно-исследовательский центр, 5, 4.07% Международный микроэлектронный научно-исследовательский центр 5 цитирований, 4.07%
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, 3, 2.44% Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН 3 цитирования, 2.44%
Университет Висконсин в Мадисоне	Университет Висконсин в Мадисоне, 3, 2.44% Университет Висконсин в Мадисоне 3 цитирования, 2.44%
Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН	Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, 2, 1.63% Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН 2 цитирования, 1.63%
Московский энергетический институт	Московский энергетический институт, 2, 1.63% Московский энергетический институт 2 цитирования, 1.63%
Ивановский государственный химико-технологический университет	Ивановский государственный химико-технологический университет, 2, 1.63% Ивановский государственный химико-технологический университет 2 цитирования, 1.63%
Университет Китайской академии наук	Университет Китайской академии наук, 2, 1.63% Университет Китайской академии наук 2 цитирования, 1.63%
Бэйханский университет	Бэйханский университет, 2, 1.63% Бэйханский университет 2 цитирования, 1.63%
Университет Цзилинь	Университет Цзилинь, 2, 1.63% Университет Цзилинь 2 цитирования, 1.63%
Центр им. Гельмгольца Дрезден-Россендорф	Центр им. Гельмгольца Дрезден-Россендорф, 2, 1.63% Центр им. Гельмгольца Дрезден-Россендорф 2 цитирования, 1.63%
Стэнфордский университет	Стэнфордский университет, 2, 1.63% Стэнфордский университет 2 цитирования, 1.63%
Университет Сонгюнгван	Университет Сонгюнгван, 2, 1.63% Университет Сонгюнгван 2 цитирования, 1.63%
Национальный институт стандартов и технологий	Национальный институт стандартов и технологий, 2, 1.63% Национальный институт стандартов и технологий 2 цитирования, 1.63%
Чжэцзянский педагогический университет	Чжэцзянский педагогический университет, 2, 1.63% Чжэцзянский педагогический университет 2 цитирования, 1.63%
Национальный центр нанонауки и технологий Китайской академии наук	Национальный центр нанонауки и технологий Китайской академии наук, 2, 1.63% Национальный центр нанонауки и технологий Китайской академии наук 2 цитирования, 1.63%
Фуцзяньский институт исследований структуры материи Китайской академии наук	Фуцзяньский институт исследований структуры материи Китайской академии наук, 2, 1.63% Фуцзяньский институт исследований структуры материи Китайской академии наук 2 цитирования, 1.63%
Университет Эль-Миньи	Университет Эль-Миньи, 2, 1.63% Университет Эль-Миньи 2 цитирования, 1.63%
Университет науки и технологий Мауланы Бхашани	Университет науки и технологий Мауланы Бхашани, 2, 1.63% Университет науки и технологий Мауланы Бхашани 2 цитирования, 1.63%
Университет Орлеана	Университет Орлеана, 2, 1.63% Университет Орлеана 2 цитирования, 1.63%
Институт элементоорганических соединений им. А.Н. Несмеянова РАН	Институт элементоорганических соединений им. А.Н. Несмеянова РАН, 1, 0.81% Институт элементоорганических соединений им. А.Н. Несмеянова РАН 1 цитирование, 0.81%
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»	Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 1, 0.81% Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» 1 цитирование, 0.81%
Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова РАН	Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова РАН, 1, 0.81% Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова РАН 1 цитирование, 0.81%
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН	Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, 1, 0.81% Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН 1 цитирование, 0.81%
Институт спектроскопии РАН	Институт спектроскопии РАН, 1, 0.81% Институт спектроскопии РАН 1 цитирование, 0.81%
Институт лазерной физики СО РАН	Институт лазерной физики СО РАН, 1, 0.81% Институт лазерной физики СО РАН 1 цитирование, 0.81%
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"	Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 1, 0.81% Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" 1 цитирование, 0.81%
Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»	Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники», 1, 0.81% Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» 1 цитирование, 0.81%
Бурятский государственный университет имени Доржи Банзарова	Бурятский государственный университет имени Доржи Банзарова, 1, 0.81% Бурятский государственный университет имени Доржи Банзарова 1 цитирование, 0.81%
Шанхайский университет Цзяотун	Шанхайский университет Цзяотун, 1, 0.81% Шанхайский университет Цзяотун 1 цитирование, 0.81%