Резванов Аскар Анварович

Askar A Rezvanov
Публикаций
25
Цитирований
125
Индекс Хирша
7

Это ваш профиль?

Войдите на сайт через ORCID, чтобы подключить этот профиль.
 Войти с ORCID
Полная статистика
Всего публикаций
25
Всего цитирований
125
Цитирований на публикацию
5
Среднее число публикаций в год
2.27
Среднее число соавторов
5.64
Годы публикаций
2016-2026 (11 лет)
h-index
7
i10-index
4
m-index
0.64
o-index
13
g-index
10
w-index
1
Описание метрик
h-index
Учёный имеет индекс h, если h из его N статей цитируются как минимум h раз каждая, в то время как оставшиеся (N - h) статей цитируются не более чем h раз каждая.
i10-index
Число статей автора, получивших не менее 10 ссылок каждая.
m-index
m-индекс ученого численно равен отношению его h-индекса к количеству лет, прошедших с момента первой публикации.
o-index
Среднее геометрическое h-индекса и числа цитирований наиболее цитируемой статьи ученого.
g-index
Для данного множества статей, отсортированного в порядке убывания количества цитирований, которые получили эти статьи, g-индекс это наибольшее число, такое что g самых цитируемых статей получили (суммарно) не менее g2 цитирований.
w-index
Если w статей ученого имеют не менее 10w цитирований каждая и другие статьи меньше, чем 10(w+1) цитирований, то w-индекс исследователя равен w.

Области наук

2
4
6
8
10
Electronic, Optical and Magnetic Materials, 10, 40%
Electronic, Optical and Magnetic Materials
10 публикаций, 40%
Condensed Matter Physics, 10, 40%
Condensed Matter Physics
10 публикаций, 40%
Materials Chemistry, 9, 36%
Materials Chemistry
9 публикаций, 36%
Electrical and Electronic Engineering, 7, 28%
Electrical and Electronic Engineering
7 публикаций, 28%
Surfaces, Coatings and Films, 5, 20%
Surfaces, Coatings and Films
5 публикаций, 20%
Electrochemistry, 3, 12%
Electrochemistry
3 публикации, 12%
Surfaces and Interfaces, 3, 12%
Surfaces and Interfaces
3 публикации, 12%
Process Chemistry and Technology, 2, 8%
Process Chemistry and Technology
2 публикации, 8%
General Materials Science, 2, 8%
General Materials Science
2 публикации, 8%
Instrumentation, 2, 8%
Instrumentation
2 публикации, 8%
General Chemistry, 1, 4%
General Chemistry
1 публикация, 4%
Spectroscopy, 1, 4%
Spectroscopy
1 публикация, 4%
General Medicine, 1, 4%
General Medicine
1 публикация, 4%
General Physics and Astronomy, 1, 4%
General Physics and Astronomy
1 публикация, 4%
Acoustics and Ultrasonics, 1, 4%
Acoustics and Ultrasonics
1 публикация, 4%
Automotive Engineering, 1, 4%
Automotive Engineering
1 публикация, 4%
2
4
6
8
10

Журналы

1
2
3
4
5
Russian Microelectronics
5 публикаций, 20%
Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films
2 публикации, 8%
Journal of Vacuum Science and Technology B
2 публикации, 8%
ACS Applied Electronic Materials
2 публикации, 8%
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering
2 публикации, 8%
Physica Status Solidi (B): Basic Research
1 публикация, 4%
Materials Chemistry and Physics
1 публикация, 4%
Applied Surface Science
1 публикация, 4%
Journal Physics D: Applied Physics
1 публикация, 4%
Langmuir
1 публикация, 4%
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
1 публикация, 4%
Modern Electronic Materials
1 публикация, 4%
1
2
3
4
5

Цитирующие журналы

2
4
6
8
10
12
14
16
18
Russian Microelectronics
17 цитирований, 13.6%
Journal Physics D: Applied Physics
10 цитирований, 8%
Plasma Processes and Polymers
9 цитирований, 7.2%
Журнал не определён, 6, 4.8%
Журнал не определён
6 цитирований, 4.8%
Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films
5 цитирований, 4%
ECS Journal of Solid State Science and Technology
4 цитирования, 3.2%
ACS Applied Electronic Materials
4 цитирования, 3.2%
Nanomaterials
3 цитирования, 2.4%
Journal of Non-Crystalline Solids
3 цитирования, 2.4%
Coatings
3 цитирования, 2.4%
Applied Physics Reviews
2 цитирования, 1.6%
ACS applied materials & interfaces
2 цитирования, 1.6%
Microporous and Mesoporous Materials
2 цитирования, 1.6%
Frontiers of Chemical Science and Engineering
2 цитирования, 1.6%
Vacuum
2 цитирования, 1.6%
Journal of Applied Physics
2 цитирования, 1.6%
Physics of Plasmas
2 цитирования, 1.6%
Applied Surface Science
2 цитирования, 1.6%
Journal of Physical Chemistry B
2 цитирования, 1.6%
Thin Solid Films
2 цитирования, 1.6%
Angewandte Chemie - International Edition
2 цитирования, 1.6%
Langmuir
2 цитирования, 1.6%
Angewandte Chemie
2 цитирования, 1.6%
IEEE Transactions on Materials for Electron Devices
2 цитирования, 1.6%
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
1 цитирование, 0.8%
Materials Letters
1 цитирование, 0.8%
Surfaces and Interfaces
1 цитирование, 0.8%
Micron
1 цитирование, 0.8%
Nature Communications
1 цитирование, 0.8%
Journal of Physics: Conference Series
1 цитирование, 0.8%
Applied Physics Letters
1 цитирование, 0.8%
Pharmaceutics
1 цитирование, 0.8%
Advanced Electronic Materials
1 цитирование, 0.8%
Plasma Sources Science and Technology
1 цитирование, 0.8%
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
1 цитирование, 0.8%
Journal of Sol-Gel Science and Technology
1 цитирование, 0.8%
Experimental Eye Research
1 цитирование, 0.8%
Polymers
1 цитирование, 0.8%
Surface and Coatings Technology
1 цитирование, 0.8%
Phosphorus, Sulfur and Silicon and the Related Elements
1 цитирование, 0.8%
Scientific Reports
1 цитирование, 0.8%
High Energy Chemistry
1 цитирование, 0.8%
Applied Sciences (Switzerland)
1 цитирование, 0.8%
Microelectronic Engineering
1 цитирование, 0.8%
ACS Omega
1 цитирование, 0.8%
Acta Physica Sinica
1 цитирование, 0.8%
Journal of Polymers and the Environment
1 цитирование, 0.8%
Journal of Membrane Science
1 цитирование, 0.8%
Plasma Physics Reports
1 цитирование, 0.8%
AIP Conference Proceedings
1 цитирование, 0.8%
Journal of Vacuum Science and Technology B
1 цитирование, 0.8%
Technical Physics Letters
1 цитирование, 0.8%
Materials
1 цитирование, 0.8%
Russian Technological Journal
1 цитирование, 0.8%
Plasma Research Express
1 цитирование, 0.8%
Nanoenergy Advances
1 цитирование, 0.8%
Микроэлектроника
1 цитирование, 0.8%
2
4
6
8
10
12
14
16
18

Цитируемые журналы

10
20
30
40
50
60
70
Journal of Applied Physics
62 цитирования, 10.15%
Журнал не определён, 37, 6.06%
Журнал не определён
37 цитирований, 6.06%
Applied Physics Letters
33 цитирования, 5.4%
Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films
33 цитирования, 5.4%
Journal Physics D: Applied Physics
33 цитирования, 5.4%
ECS Journal of Solid State Science and Technology
25 цитирований, 4.09%
Journal of Vacuum Science and Technology B
25 цитирований, 4.09%
Journal of the Electrochemical Society
17 цитирований, 2.78%
Microelectronic Engineering
17 цитирований, 2.78%
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena
17 цитирований, 2.78%
Journal of Materials Research
13 цитирований, 2.13%
Langmuir
12 цитирований, 1.96%
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes
9 цитирований, 1.47%
Plasma Sources Science and Technology
9 цитирований, 1.47%
Chemical Reviews
8 цитирований, 1.31%
Journal of Vacuum Science & Technology B Microelectronics and Nanometer Structures Processing Measurement and Phenomena
8 цитирований, 1.31%
Plasma Processes and Polymers
7 цитирований, 1.15%
Physical Review B
7 цитирований, 1.15%
Journal of Chemical Physics
6 цитирований, 0.98%
Applied Physics Reviews
6 цитирований, 0.98%
Nature
6 цитирований, 0.98%
Thin Solid Films
6 цитирований, 0.98%
Electrochemical and Solid-State Letters
6 цитирований, 0.98%
ECS Solid State Letters
6 цитирований, 0.98%
ACS Applied Electronic Materials
6 цитирований, 0.98%
Physical Review Letters
5 цитирований, 0.82%
Advanced Functional Materials
5 цитирований, 0.82%
Journal of Sol-Gel Science and Technology
5 цитирований, 0.82%
Review of Scientific Instruments
5 цитирований, 0.82%
Advanced Materials
5 цитирований, 0.82%
Chemical Society Reviews
4 цитирования, 0.65%
IEEE Transactions on Electron Devices
4 цитирования, 0.65%
Nanoindustry Russia
4 цитирования, 0.65%
Microelectronics Reliability
3 цитирования, 0.49%
ACS applied materials & interfaces
3 цитирования, 0.49%
Nature Communications
3 цитирования, 0.49%
Chemistry of Materials
3 цитирования, 0.49%
Acta Materialia
3 цитирования, 0.49%
Microporous and Mesoporous Materials
3 цитирования, 0.49%
Nanotechnology
3 цитирования, 0.49%
Measurement Science and Technology
3 цитирования, 0.49%
Journal of Non-Crystalline Solids
3 цитирования, 0.49%
Russian Microelectronics
3 цитирования, 0.49%
Materials
3 цитирования, 0.49%
MRS Proceedings
3 цитирования, 0.49%
Nanoscale
2 цитирования, 0.33%
Surface Science Reports
2 цитирования, 0.33%
Solid-State Electronics
2 цитирования, 0.33%
Chemical Physics Letters
2 цитирования, 0.33%
AIP Advances
2 цитирования, 0.33%
Physical Review Materials
2 цитирования, 0.33%
Science
2 цитирования, 0.33%
Inorganic Materials
2 цитирования, 0.33%
Reviews of Modern Physics
2 цитирования, 0.33%
IEEE Transactions on Plasma Science
2 цитирования, 0.33%
European Physical Journal D
2 цитирования, 0.33%
Energy and Environmental Science
2 цитирования, 0.33%
Physics of Plasmas
2 цитирования, 0.33%
Nature Materials
2 цитирования, 0.33%
Scientific Reports
2 цитирования, 0.33%
Semiconductors
2 цитирования, 0.33%
Journal of Materials Chemistry A
2 цитирования, 0.33%
Journal of Physical Chemistry B
2 цитирования, 0.33%
Science and Technology of Advanced Materials
2 цитирования, 0.33%
Nanoscale Research Letters
2 цитирования, 0.33%
ECS Transactions
2 цитирования, 0.33%
IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems
2 цитирования, 0.33%
Applied Physics Express
2 цитирования, 0.33%
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
2 цитирования, 0.33%
Materials Science and Engineering: R: Reports
1 цитирование, 0.16%
Ultramicroscopy
1 цитирование, 0.16%
Journal of Computational Chemistry
1 цитирование, 0.16%
Surface Science
1 цитирование, 0.16%
npj Quantum Materials
1 цитирование, 0.16%
Annual Review of Materials Research
1 цитирование, 0.16%
Computers and Chemical Engineering
1 цитирование, 0.16%
Computational Materials Science
1 цитирование, 0.16%
Journal of Materials Chemistry C
1 цитирование, 0.16%
Materials Transactions
1 цитирование, 0.16%
Biophysical Journal
1 цитирование, 0.16%
Journal of Physics Condensed Matter
1 цитирование, 0.16%
Journal of the American Chemical Society
1 цитирование, 0.16%
EPJ Applied Physics
1 цитирование, 0.16%
Defect and Diffusion Forum
1 цитирование, 0.16%
Materials Today
1 цитирование, 0.16%
Solar Energy Materials and Solar Cells
1 цитирование, 0.16%
Superconductor Science and Technology
1 цитирование, 0.16%
Physica Status Solidi - Rapid Research Letters
1 цитирование, 0.16%
Wiley Interdisciplinary Reviews: Computational Statistics
1 цитирование, 0.16%
Surface Science Spectra
1 цитирование, 0.16%
Optical Materials
1 цитирование, 0.16%
APL Materials
1 цитирование, 0.16%
Chemical Communications
1 цитирование, 0.16%
International Journal of Chemical Kinetics
1 цитирование, 0.16%
Acta Biomaterialia
1 цитирование, 0.16%
Nanomaterials
1 цитирование, 0.16%
Nano Letters
1 цитирование, 0.16%
Physics-Uspekhi
1 цитирование, 0.16%
Journal of Polymer Science, Part A: Polymer Chemistry
1 цитирование, 0.16%
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology
1 цитирование, 0.16%
10
20
30
40
50
60
70

Издатели

1
2
3
4
5
Pleiades Publishing
5 публикаций, 20%
American Vacuum Society
4 публикации, 16%
American Chemical Society (ACS)
3 публикации, 12%
Elsevier
2 публикации, 8%
National University of Science & Technology (MISiS)
2 публикации, 8%
Wiley
1 публикация, 4%
Pensoft Publishers
1 публикация, 4%
IOP Publishing
1 публикация, 4%
SPIE-Intl Soc Optical Eng
1 публикация, 4%
1
2
3
4
5

Организации из публикаций

2
4
6
8
10
12
14
16
18
Московский физико-технический институт
17 публикаций, 68%
Организация не определена, 6, 24%
Организация не определена
6 публикаций, 24%
МИРЭА — Российский технологический университет
6 публикаций, 24%
Физико-технологический институт имени К.А. Валиева
5 публикаций, 20%
Международный микроэлектронный научно-исследовательский центр
4 публикации, 16%
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
3 публикации, 12%
Северо-Китайский технологический университет
3 публикации, 12%
Институт Фраунгофера по материаловедению и лучевым технологиям
2 публикации, 8%
Институт спектроскопии РАН
1 публикация, 4%
Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
1 публикация, 4%
Центр им. Гельмгольца Дрезден-Россендорф
1 публикация, 4%
Институт поверхностной инженерии Лейбница
1 публикация, 4%
Университет Эль-Миньи
1 публикация, 4%
2
4
6
8
10
12
14
16
18

Страны из публикаций

5
10
15
20
25
Россия, 23, 92%
Россия
23 публикации, 92%
Бельгия, 6, 24%
Бельгия
6 публикаций, 24%
Китай, 5, 20%
Китай
5 публикаций, 20%
Германия, 3, 12%
Германия
3 публикации, 12%
США, 3, 12%
США
3 публикации, 12%
Япония, 3, 12%
Япония
3 публикации, 12%
Финляндия, 2, 8%
Финляндия
2 публикации, 8%
Страна не определена, 1, 4%
Страна не определена
1 публикация, 4%
Египет, 1, 4%
Египет
1 публикация, 4%
5
10
15
20
25

Цитирующие организации

2
4
6
8
10
12
14
16
18
Организация не определена, 17, 13.6%
Организация не определена
17 цитирований, 13.6%
МИРЭА — Российский технологический университет
17 цитирований, 13.6%
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
10 цитирований, 8%
Физико-технологический институт имени К.А. Валиева
10 цитирований, 8%
Московский физико-технический институт
9 цитирований, 7.2%
Национальный университет Чи Нань
7 цитирований, 5.6%
Северо-Китайский технологический университет
6 цитирований, 4.8%
Университет Фэн Цзя
6 цитирований, 4.8%
Национальный университет Формозы
6 цитирований, 4.8%
Институт поверхностной инженерии Лейбница
6 цитирований, 4.8%
Международный микроэлектронный научно-исследовательский центр
5 цитирований, 4%
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
3 цитирования, 2.4%
Московский энергетический институт
3 цитирования, 2.4%
Университет Цзилинь
3 цитирования, 2.4%
Университет Висконсин в Мадисоне
3 цитирования, 2.4%
Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН
2 цитирования, 1.6%
Ивановский государственный химико-технологический университет
2 цитирования, 1.6%
Университет Китайской академии наук
2 цитирования, 1.6%
Бэйханский университет
2 цитирования, 1.6%
Центр им. Гельмгольца Дрезден-Россендорф
2 цитирования, 1.6%
Стэнфордский университет
2 цитирования, 1.6%
Университет Сонгюнгван
2 цитирования, 1.6%
Национальный институт стандартов и технологий
2 цитирования, 1.6%
Чжэцзянский педагогический университет
2 цитирования, 1.6%
Национальный центр нанонауки и технологий Китайской академии наук
2 цитирования, 1.6%
Фуцзяньский институт исследований структуры материи Китайской академии наук
2 цитирования, 1.6%
Университет Эль-Миньи
2 цитирования, 1.6%
Университет науки и технологий Мауланы Бхашани
2 цитирования, 1.6%
Университет Орлеана
2 цитирования, 1.6%
Институт элементоорганических соединений им. А.Н. Несмеянова РАН
1 цитирование, 0.8%
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
1 цитирование, 0.8%
Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова РАН
1 цитирование, 0.8%
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН
1 цитирование, 0.8%
Институт спектроскопии РАН
1 цитирование, 0.8%
Институт лазерной физики СО РАН
1 цитирование, 0.8%
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
1 цитирование, 0.8%
Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
1 цитирование, 0.8%
Бурятский государственный университет имени Доржи Банзарова
1 цитирование, 0.8%
Шанхайский университет Цзяотун
1 цитирование, 0.8%
Университет Тель-Авива
1 цитирование, 0.8%
Лёвенский католический университет
1 цитирование, 0.8%
Линчёпингский университет
1 цитирование, 0.8%
Университет Гренобль-Альпы
1 цитирование, 0.8%
Нанькайский университет
1 цитирование, 0.8%
Неаполитанский университет имени Фридриха II
1 цитирование, 0.8%
Тяньцзиньский технологический университет
1 цитирование, 0.8%
Тяньцзиньский университет
1 цитирование, 0.8%
Тяньцзиньский медицинский университет
1 цитирование, 0.8%
Национальный центр исследований синхротронного излучения
1 цитирование, 0.8%
Национальный университет Цинхуа
1 цитирование, 0.8%
Национальный университет Ян Мин Цзяотун
1 цитирование, 0.8%
Аньхойский университет
1 цитирование, 0.8%
Технологический институт Джорджии
1 цитирование, 0.8%
Обернский университет
1 цитирование, 0.8%
Национальный университет Чоннама
1 цитирование, 0.8%
Гонконгский политехнический университет
1 цитирование, 0.8%
Калифорнийский университет в Сан-Диего
1 цитирование, 0.8%
Университет Тэджона
1 цитирование, 0.8%
Нагойский университет
1 цитирование, 0.8%
Национальный институт передовых промышленных наук и технологий
1 цитирование, 0.8%
Университет науки и технологий Китая
1 цитирование, 0.8%
Национальный университет генерала Сан-Мартина
1 цитирование, 0.8%
Иллинойсский университет в Урбане-Шампейне
1 цитирование, 0.8%
Хемницкий технологический университет
1 цитирование, 0.8%
Институт Фраунгофера по материаловедению и лучевым технологиям
1 цитирование, 0.8%
Университет прикладных наук Билефельда
1 цитирование, 0.8%
Токийский университет
1 цитирование, 0.8%
Мэрилендский университет, Колледж-Парк
1 цитирование, 0.8%
Toshiba Corporation
1 цитирование, 0.8%
Японское общество содействия науке
1 цитирование, 0.8%
Колорадская горная школа
1 цитирование, 0.8%
Силезский технологический университет
1 цитирование, 0.8%
Варшавский технологический университет
1 цитирование, 0.8%
Университет Западного Онтарио
1 цитирование, 0.8%
Университет Уэйк Форест
1 цитирование, 0.8%
Тартуский университет
1 цитирование, 0.8%
Университет Коннектикута
1 цитирование, 0.8%
Даккский университет инженерии и технологий
1 цитирование, 0.8%
Университет Мой
1 цитирование, 0.8%
Университет Николая Коперника
1 цитирование, 0.8%
Быдгощский университет науки и техники
1 цитирование, 0.8%
Национальный центр ядерных исследований
1 цитирование, 0.8%
Университет Западной Бретани
1 цитирование, 0.8%
Национальная комиссия по атомной энергии
1 цитирование, 0.8%
Составляющие атомного центра
1 цитирование, 0.8%
Университет Южной Бретани
1 цитирование, 0.8%
Университет Элдорета
1 цитирование, 0.8%
Институт исследования металлов, Китайская академия наук
1 цитирование, 0.8%
2
4
6
8
10
12
14
16
18

Цитирующие страны

5
10
15
20
25
30
35
40
Россия, 37, 29.6%
Россия
37 цитирований, 29.6%
Китай, 26, 20.8%
Китай
26 цитирований, 20.8%
Страна не определена, 14, 11.2%
Страна не определена
14 цитирований, 11.2%
США, 13, 10.4%
США
13 цитирований, 10.4%
Бельгия, 12, 9.6%
Бельгия
12 цитирований, 9.6%
Германия, 9, 7.2%
Германия
9 цитирований, 7.2%
Япония, 6, 4.8%
Япония
6 цитирований, 4.8%
Франция, 4, 3.2%
Франция
4 цитирования, 3.2%
Бангладеш, 3, 2.4%
Бангладеш
3 цитирования, 2.4%
Республика Корея, 3, 2.4%
Республика Корея
3 цитирования, 2.4%
Египет, 2, 1.6%
Египет
2 цитирования, 1.6%
Польша, 2, 1.6%
Польша
2 цитирования, 1.6%
Финляндия, 2, 1.6%
Финляндия
2 цитирования, 1.6%
Эстония, 1, 0.8%
Эстония
1 цитирование, 0.8%
Аргентина, 1, 0.8%
Аргентина
1 цитирование, 0.8%
Израиль, 1, 0.8%
Израиль
1 цитирование, 0.8%
Индия, 1, 0.8%
Индия
1 цитирование, 0.8%
Италия, 1, 0.8%
Италия
1 цитирование, 0.8%
Канада, 1, 0.8%
Канада
1 цитирование, 0.8%
Кения, 1, 0.8%
Кения
1 цитирование, 0.8%
Швеция, 1, 0.8%
Швеция
1 цитирование, 0.8%
5
10
15
20
25
30
35
40
  • Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
  • Статистика пересчитывается раз в сутки.
В этом разделе отображаются профили ученых, зарегистрированных на платформе. Чтобы отображался полный список, приглашайте коллег зарегистрироваться.