0000-0002-3614-9590

57206660021

Злой Андреа

Andrea Vici

Лёвенский католический университет

Публикаций

Цитирований

Индекс Хирша

R-3ACBA-0BF95-YV21I

0000-0002-3614-9590

57206660021

Аффилиации

Международный микроэлектронный научно-исследовательский центр

2020 — 2026

Лёвенский католический университет

2020 — 2023

Римский Университет Ла Сапиенца

2018 — 2020

Всего публикаций

Всего цитирований

Цитирований на публикацию

4.79

Среднее число публикаций в год

2.11

Среднее число соавторов

8.26

Годы публикаций

2018-2026 (9 лет)

h-index

i10-index

m-index

0.67

o-index

g-index

w-index

Описание метрик

h-index

Учёный имеет индекс h, если h из его N статей цитируются как минимум h раз каждая, в то время как оставшиеся (N - h) статей цитируются не более чем h раз каждая.

https://www.pnas.org/doi/full/10.1073/pnas.0507655102

i10-index

Число статей автора, получивших не менее 10 ссылок каждая.

https://scholar.googleblog.com/2011/11/google-scholar-citations-open-to-all.html

m-index

m-индекс ученого численно равен отношению его h-индекса к количеству лет, прошедших с момента первой публикации.

https://harzing.com/publications/white-papers/reflections-on-the-h-index

o-index

Среднее геометрическое h-индекса и числа цитирований наиболее цитируемой статьи ученого.

https://arxiv.org/abs/1511.01545

g-index

Для данного множества статей, отсортированного в порядке убывания количества цитирований, которые получили эти статьи, g-индекс это наибольшее число, такое что g самых цитируемых статей получили (суммарно) не менее g² цитирований.

https://doi.org/10.1007/s11192-006-0144-7

w-index

Если w статей ученого имеют не менее 10w цитирований каждая и другие статьи меньше, чем 10(w+1) цитирований, то w-индекс исследователя равен w.

https://doi.org/10.1002/asi.21276

Топ-100

Области наук

	1 2 3 4 5 6
Electronic, Optical and Magnetic Materials	Electronic, Optical and Magnetic Materials, 6, 31.58% Electronic, Optical and Magnetic Materials 6 публикаций, 31.58%
Electrical and Electronic Engineering	Electrical and Electronic Engineering, 5, 26.32% Electrical and Electronic Engineering 5 публикаций, 26.32%
Materials Chemistry	Materials Chemistry, 2, 10.53% Materials Chemistry 2 публикации, 10.53%
Condensed Matter Physics	Condensed Matter Physics, 2, 10.53% Condensed Matter Physics 2 публикации, 10.53%
Biotechnology	Biotechnology, 1, 5.26% Biotechnology 1 публикация, 5.26%
	1 2 3 4 5 6

Журналы

	1 2 3 4
Solid-State Electronics	Solid-State Electronics, 4, 21.05% Solid-State Electronics 4 публикации, 21.05%
IEEE Transactions on Electron Devices	IEEE Transactions on Electron Devices, 3, 15.79% IEEE Transactions on Electron Devices 3 публикации, 15.79%
IEEE Journal of the Electron Devices Society	IEEE Journal of the Electron Devices Society, 1, 5.26% IEEE Journal of the Electron Devices Society 1 публикация, 5.26%
npj 2D Materials and Applications	npj 2D Materials and Applications, 1, 5.26% npj 2D Materials and Applications 1 публикация, 5.26%
Advanced Electronic Materials	Advanced Electronic Materials, 1, 5.26% Advanced Electronic Materials 1 публикация, 5.26%
	1 2 3 4

Цитирующие журналы

	5 10 15 20 25 30 35
Журнал не определён	Журнал не определён, 33, 36.26% Журнал не определён 33 цитирования, 36.26%
IEEE Transactions on Electron Devices	IEEE Transactions on Electron Devices, 13, 14.29% IEEE Transactions on Electron Devices 13 цитирований, 14.29%
Solid-State Electronics	Solid-State Electronics, 5, 5.49% Solid-State Electronics 5 цитирований, 5.49%
Micromachines	Micromachines, 3, 3.3% Micromachines 3 цитирования, 3.3%
IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement	IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, 3, 3.3% IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement 3 цитирования, 3.3%
npj 2D Materials and Applications	npj 2D Materials and Applications, 2, 2.2% npj 2D Materials and Applications 2 цитирования, 2.2%
Advanced Functional Materials	Advanced Functional Materials, 2, 2.2% Advanced Functional Materials 2 цитирования, 2.2%
Nature Reviews Materials	Nature Reviews Materials, 2, 2.2% Nature Reviews Materials 2 цитирования, 2.2%
Advanced Materials Interfaces	Advanced Materials Interfaces, 2, 2.2% Advanced Materials Interfaces 2 цитирования, 2.2%
Physica Scripta	Physica Scripta, 2, 2.2% Physica Scripta 2 цитирования, 2.2%
ACS Applied Electronic Materials	ACS Applied Electronic Materials, 2, 2.2% ACS Applied Electronic Materials 2 цитирования, 2.2%
APL Machine Learning	APL Machine Learning, 2, 2.2% APL Machine Learning 2 цитирования, 2.2%
ACS applied materials & interfaces	ACS applied materials & interfaces, 1, 1.1% ACS applied materials & interfaces 1 цитирование, 1.1%
IEEE Transactions on Nanotechnology	IEEE Transactions on Nanotechnology, 1, 1.1% IEEE Transactions on Nanotechnology 1 цитирование, 1.1%
IEEE Journal of the Electron Devices Society	IEEE Journal of the Electron Devices Society, 1, 1.1% IEEE Journal of the Electron Devices Society 1 цитирование, 1.1%
Chemical Papers	Chemical Papers, 1, 1.1% Chemical Papers 1 цитирование, 1.1%
Electronics (Switzerland)	Electronics (Switzerland), 1, 1.1% Electronics (Switzerland) 1 цитирование, 1.1%
IEEE Electron Device Letters	IEEE Electron Device Letters, 1, 1.1% IEEE Electron Device Letters 1 цитирование, 1.1%
Physical Review Materials	Physical Review Materials, 1, 1.1% Physical Review Materials 1 цитирование, 1.1%
Materials Science in Semiconductor Processing	Materials Science in Semiconductor Processing, 1, 1.1% Materials Science in Semiconductor Processing 1 цитирование, 1.1%
Nanomaterials	Nanomaterials, 1, 1.1% Nanomaterials 1 цитирование, 1.1%
IEEE Sensors Journal	IEEE Sensors Journal, 1, 1.1% IEEE Sensors Journal 1 цитирование, 1.1%
Physical Review Applied	Physical Review Applied, 1, 1.1% Physical Review Applied 1 цитирование, 1.1%
Nanotechnology	Nanotechnology, 1, 1.1% Nanotechnology 1 цитирование, 1.1%
Nano Convergence	Nano Convergence, 1, 1.1% Nano Convergence 1 цитирование, 1.1%
Reliability Engineering and System Safety	Reliability Engineering and System Safety, 1, 1.1% Reliability Engineering and System Safety 1 цитирование, 1.1%
Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects	Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects, 1, 1.1% Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 1 цитирование, 1.1%
Journal of Computational Electronics	Journal of Computational Electronics, 1, 1.1% Journal of Computational Electronics 1 цитирование, 1.1%
2D Materials	2D Materials, 1, 1.1% 2D Materials 1 цитирование, 1.1%
Chinese Journal of Aeronautics	Chinese Journal of Aeronautics, 1, 1.1% Chinese Journal of Aeronautics 1 цитирование, 1.1%
Russian Microelectronics	Russian Microelectronics, 1, 1.1% Russian Microelectronics 1 цитирование, 1.1%
Neuromorphic Computing and Engineering	Neuromorphic Computing and Engineering, 1, 1.1% Neuromorphic Computing and Engineering 1 цитирование, 1.1%

	5 10 15 20 25 30 35

Цитируемые журналы

	20 40 60 80 100 120 140 160
Журнал не определён	Журнал не определён, 151, 36.21% Журнал не определён 151 цитирование, 36.21%
IEEE Transactions on Electron Devices	IEEE Transactions on Electron Devices, 55, 13.19% IEEE Transactions on Electron Devices 55 цитирований, 13.19%
Journal of Applied Physics	Journal of Applied Physics, 34, 8.15% Journal of Applied Physics 34 цитирования, 8.15%
Microelectronics Reliability	Microelectronics Reliability, 21, 5.04% Microelectronics Reliability 21 цитирование, 5.04%
Microelectronic Engineering	Microelectronic Engineering, 14, 3.36% Microelectronic Engineering 14 цитирований, 3.36%
ACS Nano	ACS Nano, 11, 2.64% ACS Nano 11 цитирований, 2.64%
IEEE Electron Device Letters	IEEE Electron Device Letters, 10, 2.4% IEEE Electron Device Letters 10 цитирований, 2.4%
Nanotechnology	Nanotechnology, 8, 1.92% Nanotechnology 8 цитирований, 1.92%
Applied Physics Letters	Applied Physics Letters, 7, 1.68% Applied Physics Letters 7 цитирований, 1.68%
Solid-State Electronics	Solid-State Electronics, 6, 1.44% Solid-State Electronics 6 цитирований, 1.44%
Nano Letters	Nano Letters, 5, 1.2% Nano Letters 5 цитирований, 1.2%
Nature	Nature, 5, 1.2% Nature 5 цитирований, 1.2%
2D Materials	2D Materials, 5, 1.2% 2D Materials 5 цитирований, 1.2%
IEEE Transactions on Nuclear Science	IEEE Transactions on Nuclear Science, 4, 0.96% IEEE Transactions on Nuclear Science 4 цитирования, 0.96%
Advanced Materials	Advanced Materials, 4, 0.96% Advanced Materials 4 цитирования, 0.96%
Physical Review B	Physical Review B, 4, 0.96% Physical Review B 4 цитирования, 0.96%
ACS applied materials & interfaces	ACS applied materials & interfaces, 3, 0.72% ACS applied materials & interfaces 3 цитирования, 0.72%
Nature Communications	Nature Communications, 3, 0.72% Nature Communications 3 цитирования, 0.72%
Physical Review Letters	Physical Review Letters, 3, 0.72% Physical Review Letters 3 цитирования, 0.72%
Journal of Physical Chemistry C	Journal of Physical Chemistry C, 3, 0.72% Journal of Physical Chemistry C 3 цитирования, 0.72%
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability	IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 3, 0.72% IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 3 цитирования, 0.72%
IEEE Journal of Solid-State Circuits	IEEE Journal of Solid-State Circuits, 3, 0.72% IEEE Journal of Solid-State Circuits 3 цитирования, 0.72%
Nature Electronics	Nature Electronics, 3, 0.72% Nature Electronics 3 цитирования, 0.72%
2009 IEEE International Reliability Physics Symposium	2009 IEEE International Reliability Physics Symposium, 3, 0.72% 2009 IEEE International Reliability Physics Symposium 3 цитирования, 0.72%
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing	IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, 2, 0.48% IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 2 цитирования, 0.48%
npj 2D Materials and Applications	npj 2D Materials and Applications, 2, 0.48% npj 2D Materials and Applications 2 цитирования, 0.48%
Advanced Functional Materials	Advanced Functional Materials, 2, 0.48% Advanced Functional Materials 2 цитирования, 0.48%
Nature Reviews Materials	Nature Reviews Materials, 2, 0.48% Nature Reviews Materials 2 цитирования, 0.48%
Nature Materials	Nature Materials, 2, 0.48% Nature Materials 2 цитирования, 0.48%
ECS Transactions	ECS Transactions, 2, 0.48% ECS Transactions 2 цитирования, 0.48%
Journal of Vacuum Science and Technology B	Journal of Vacuum Science and Technology B, 2, 0.48% Journal of Vacuum Science and Technology B 2 цитирования, 0.48%
Physica B+C	Physica B+C, 2, 0.48% Physica B+C 2 цитирования, 0.48%
IEEE Circuits and Devices Magazine	IEEE Circuits and Devices Magazine, 2, 0.48% IEEE Circuits and Devices Magazine 2 цитирования, 0.48%
Nature Reviews Physics	Nature Reviews Physics, 2, 0.48% Nature Reviews Physics 2 цитирования, 0.48%
2004 IEEE International Reliability Physics Symposium. Proceedings	2004 IEEE International Reliability Physics Symposium. Proceedings, 2, 0.48% 2004 IEEE International Reliability Physics Symposium. Proceedings 2 цитирования, 0.48%
Nanoscale	Nanoscale, 1, 0.24% Nanoscale 1 цитирование, 0.24%
Lecture Notes in Computer Science	Lecture Notes in Computer Science, 1, 0.24% Lecture Notes in Computer Science 1 цитирование, 0.24%
Annual Review of Materials Research	Annual Review of Materials Research, 1, 0.24% Annual Review of Materials Research 1 цитирование, 0.24%
IEEE Journal of the Electron Devices Society	IEEE Journal of the Electron Devices Society, 1, 0.24% IEEE Journal of the Electron Devices Society 1 цитирование, 0.24%
Nanoscale Horizons	Nanoscale Horizons, 1, 0.24% Nanoscale Horizons 1 цитирование, 0.24%
AIP Advances	AIP Advances, 1, 0.24% AIP Advances 1 цитирование, 0.24%
Physical Review Materials	Physical Review Materials, 1, 0.24% Physical Review Materials 1 цитирование, 0.24%
Small	Small, 1, 0.24% Small 1 цитирование, 0.24%
Review of Scientific Instruments	Review of Scientific Instruments, 1, 0.24% Review of Scientific Instruments 1 цитирование, 0.24%
Applied Surface Science	Applied Surface Science, 1, 0.24% Applied Surface Science 1 цитирование, 0.24%
Semiconductors	Semiconductors, 1, 0.24% Semiconductors 1 цитирование, 0.24%
Journal Physics D: Applied Physics	Journal Physics D: Applied Physics, 1, 0.24% Journal Physics D: Applied Physics 1 цитирование, 0.24%
Springer Series in Advanced Microelectronics	Springer Series in Advanced Microelectronics, 1, 0.24% Springer Series in Advanced Microelectronics 1 цитирование, 0.24%
Procedia Engineering	Procedia Engineering, 1, 0.24% Procedia Engineering 1 цитирование, 0.24%
Progress in Organic Coatings	Progress in Organic Coatings, 1, 0.24% Progress in Organic Coatings 1 цитирование, 0.24%
Advances in Physics	Advances in Physics, 1, 0.24% Advances in Physics 1 цитирование, 0.24%
Chemical Society Reviews	Chemical Society Reviews, 1, 0.24% Chemical Society Reviews 1 цитирование, 0.24%
Electronics Letters	Electronics Letters, 1, 0.24% Electronics Letters 1 цитирование, 0.24%
Semiconductor Science and Technology	Semiconductor Science and Technology, 1, 0.24% Semiconductor Science and Technology 1 цитирование, 0.24%
IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs	IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, 1, 0.24% IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs 1 цитирование, 0.24%
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena	Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena, 1, 0.24% Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena 1 цитирование, 0.24%
Cell Reports Physical Science	Cell Reports Physical Science, 1, 0.24% Cell Reports Physical Science 1 цитирование, 0.24%
Choice Reviews Online	Choice Reviews Online, 1, 0.24% Choice Reviews Online 1 цитирование, 0.24%
New Insulators, Devices and Radiation Effects	New Insulators, Devices and Radiation Effects, 1, 0.24% New Insulators, Devices and Radiation Effects 1 цитирование, 0.24%
1999 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 37th Annual (Cat. No.99CH36296)	1999 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 37th Annual (Cat. No.99CH36296), 1, 0.24% 1999 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 37th Annual (Cat. No.99CH36296) 1 цитирование, 0.24%
2000 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 38th Annual (Cat. No.00CH37059)	2000 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 38th Annual (Cat. No.00CH37059), 1, 0.24% 2000 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 38th Annual (Cat. No.00CH37059) 1 цитирование, 0.24%
2014 IEEE International Electron Devices Meeting	2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 1, 0.24% 2014 IEEE International Electron Devices Meeting 1 цитирование, 0.24%

	20 40 60 80 100 120 140 160

Издатели

	1 2 3 4
Elsevier	Elsevier, 4, 21.05% Elsevier 4 публикации, 21.05%
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)	Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 4, 21.05% Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) 4 публикации, 21.05%
Springer Nature	Springer Nature, 1, 5.26% Springer Nature 1 публикация, 5.26%
Wiley	Wiley, 1, 5.26% Wiley 1 публикация, 5.26%
	1 2 3 4

Организации из публикаций

	2 4 6 8 10
Организация не определена	Организация не определена, 10, 52.63% Организация не определена 10 публикаций, 52.63%
Международный микроэлектронный научно-исследовательский центр	Международный микроэлектронный научно-исследовательский центр, 9, 47.37% Международный микроэлектронный научно-исследовательский центр 9 публикаций, 47.37%
Лёвенский католический университет	Лёвенский католический университет, 7, 36.84% Лёвенский католический университет 7 публикаций, 36.84%
Римский Университет Ла Сапиенца	Римский Университет Ла Сапиенца, 2, 10.53% Римский Университет Ла Сапиенца 2 публикации, 10.53%
Samsung	Samsung, 1, 5.26% Samsung 1 публикация, 5.26%
Университет Корё	Университет Корё, 1, 5.26% Университет Корё 1 публикация, 5.26%
Венский технический университет	Венский технический университет, 1, 5.26% Венский технический университет 1 публикация, 5.26%
	2 4 6 8 10

Страны из публикаций

	2 4 6 8 10 12 14 16
Бельгия	Бельгия, 16, 84.21% Бельгия 16 публикаций, 84.21%
Италия	Италия, 4, 21.05% Италия 4 публикации, 21.05%
Австрия	Австрия, 2, 10.53% Австрия 2 публикации, 10.53%
Страна не определена	Страна не определена, 1, 5.26% Страна не определена 1 публикация, 5.26%
США	США, 1, 5.26% США 1 публикация, 5.26%
Республика Корея	Республика Корея, 1, 5.26% Республика Корея 1 публикация, 5.26%
	2 4 6 8 10 12 14 16

Цитирующие организации

	5 10 15 20 25 30 35
Организация не определена	Организация не определена, 32, 35.16% Организация не определена 32 цитирования, 35.16%
Международный микроэлектронный научно-исследовательский центр	Международный микроэлектронный научно-исследовательский центр, 15, 16.48% Международный микроэлектронный научно-исследовательский центр 15 цитирований, 16.48%
Лёвенский католический университет	Лёвенский католический университет, 9, 9.89% Лёвенский католический университет 9 цитирований, 9.89%
Чжэцзянский университет	Чжэцзянский университет, 3, 3.3% Чжэцзянский университет 3 цитирования, 3.3%
Университет Оран 1 Ахмеда Бен Беллы	Университет Оран 1 Ахмеда Бен Беллы, 3, 3.3% Университет Оран 1 Ахмеда Бен Беллы 3 цитирования, 3.3%
Университет Айн-Темушен	Университет Айн-Темушен, 3, 3.3% Университет Айн-Темушен 3 цитирования, 3.3%
Университет Брунея-Даруссалама	Университет Брунея-Даруссалама, 3, 3.3% Университет Брунея-Даруссалама 3 цитирования, 3.3%
Бэйханский университет	Бэйханский университет, 2, 2.2% Бэйханский университет 2 цитирования, 2.2%
Римский Университет Ла Сапиенца	Римский Университет Ла Сапиенца, 2, 2.2% Римский Университет Ла Сапиенца 2 цитирования, 2.2%
Samsung	Samsung, 2, 2.2% Samsung 2 цитирования, 2.2%
Национальный институт исследований и разработок в области изотопных и молекулярных технологий	Национальный институт исследований и разработок в области изотопных и молекулярных технологий, 2, 2.2% Национальный институт исследований и разработок в области изотопных и молекулярных технологий 2 цитирования, 2.2%
Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»	Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники», 1, 1.1% Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» 1 цитирование, 1.1%
Университет Атылым	Университет Атылым, 1, 1.1% Университет Атылым 1 цитирование, 1.1%
Фуданьский университет	Фуданьский университет, 1, 1.1% Фуданьский университет 1 цитирование, 1.1%
Университет Хамада бин Халифы	Университет Хамада бин Халифы, 1, 1.1% Университет Хамада бин Халифы 1 цитирование, 1.1%
Катарский фонд	Катарский фонд, 1, 1.1% Катарский фонд 1 цитирование, 1.1%
Катарский научно-исследовательский институт окружающей среды и энергетики	Катарский научно-исследовательский институт окружающей среды и энергетики, 1, 1.1% Катарский научно-исследовательский институт окружающей среды и энергетики 1 цитирование, 1.1%
Дрезденский технический университет	Дрезденский технический университет, 1, 1.1% Дрезденский технический университет 1 цитирование, 1.1%
Университетский колледж Лондона	Университетский колледж Лондона, 1, 1.1% Университетский колледж Лондона 1 цитирование, 1.1%
Тяньцзиньский университет	Тяньцзиньский университет, 1, 1.1% Тяньцзиньский университет 1 цитирование, 1.1%
Центр им. Гельмгольца Дрезден-Россендорф	Центр им. Гельмгольца Дрезден-Россендорф, 1, 1.1% Центр им. Гельмгольца Дрезден-Россендорф 1 цитирование, 1.1%
Южный университет науки и технологий	Южный университет науки и технологий, 1, 1.1% Южный университет науки и технологий 1 цитирование, 1.1%
Массачусетский технологический институт	Массачусетский технологический институт, 1, 1.1% Массачусетский технологический институт 1 цитирование, 1.1%
Шэньчжэньский политехнический университет	Шэньчжэньский политехнический университет, 1, 1.1% Шэньчжэньский политехнический университет 1 цитирование, 1.1%
Университет Модены и Реджо-Эмилии	Университет Модены и Реджо-Эмилии, 1, 1.1% Университет Модены и Реджо-Эмилии 1 цитирование, 1.1%
Сеульский университет	Сеульский университет, 1, 1.1% Сеульский университет 1 цитирование, 1.1%
Университет Ёнсе	Университет Ёнсе, 1, 1.1% Университет Ёнсе 1 цитирование, 1.1%
Университет Корё	Университет Корё, 1, 1.1% Университет Корё 1 цитирование, 1.1%
Корейский институт науки и технологий	Корейский институт науки и технологий, 1, 1.1% Корейский институт науки и технологий 1 цитирование, 1.1%
Сеульский национальный университет науки и технологий	Сеульский национальный университет науки и технологий, 1, 1.1% Сеульский национальный университет науки и технологий 1 цитирование, 1.1%
Университет Ульсана	Университет Ульсана, 1, 1.1% Университет Ульсана 1 цитирование, 1.1%
Университет Донгук	Университет Донгук, 1, 1.1% Университет Донгук 1 цитирование, 1.1%
Кёнсанский национальный университет	Кёнсанский национальный университет, 1, 1.1% Кёнсанский национальный университет 1 цитирование, 1.1%
Гарвардский университет	Гарвардский университет, 1, 1.1% Гарвардский университет 1 цитирование, 1.1%
Университет Ханчжоу Дианзи	Университет Ханчжоу Дианзи, 1, 1.1% Университет Ханчжоу Дианзи 1 цитирование, 1.1%
Вестлейкский университет	Вестлейкский университет, 1, 1.1% Вестлейкский университет 1 цитирование, 1.1%
Венский технический университет	Венский технический университет, 1, 1.1% Венский технический университет 1 цитирование, 1.1%
Университет Кённам	Университет Кённам, 1, 1.1% Университет Кённам 1 цитирование, 1.1%
Университет Тохоку	Университет Тохоку, 1, 1.1% Университет Тохоку 1 цитирование, 1.1%
Ланьчжоуский университет	Ланьчжоуский университет, 1, 1.1% Ланьчжоуский университет 1 цитирование, 1.1%
Иллинойсский университет в Урбане-Шампейне	Иллинойсский университет в Урбане-Шампейне, 1, 1.1% Иллинойсский университет в Урбане-Шампейне 1 цитирование, 1.1%
Севильский университет	Севильский университет, 1, 1.1% Севильский университет 1 цитирование, 1.1%
Чунцинский институт зеленых и интеллектуальных технологий Китайской академии наук	Чунцинский институт зеленых и интеллектуальных технологий Китайской академии наук, 1, 1.1% Чунцинский институт зеленых и интеллектуальных технологий Китайской академии наук 1 цитирование, 1.1%
Университет Бата	Университет Бата, 1, 1.1% Университет Бата 1 цитирование, 1.1%
Ирландский национальный университет в Корке	Ирландский национальный университет в Корке, 1, 1.1% Ирландский национальный университет в Корке 1 цитирование, 1.1%
Лаборатория Пэн Чэн	Лаборатория Пэн Чэн, 1, 1.1% Лаборатория Пэн Чэн 1 цитирование, 1.1%
Институт микроэлектроники, Китайская академия наук	Институт микроэлектроники, Китайская академия наук, 1, 1.1% Институт микроэлектроники, Китайская академия наук 1 цитирование, 1.1%

	5 10 15 20 25 30 35

Цитирующие страны

	5 10 15 20 25 30 35
Бельгия	Бельгия, 33, 36.26% Бельгия 33 цитирования, 36.26%
Китай	Китай, 14, 15.38% Китай 14 цитирований, 15.38%
Страна не определена	Страна не определена, 8, 8.79% Страна не определена 8 цитирований, 8.79%
США	США, 7, 7.69% США 7 цитирований, 7.69%
Республика Корея	Республика Корея, 6, 6.59% Республика Корея 6 цитирований, 6.59%
Великобритания	Великобритания, 4, 4.4% Великобритания 4 цитирования, 4.4%
Италия	Италия, 4, 4.4% Италия 4 цитирования, 4.4%
Алжир	Алжир, 3, 3.3% Алжир 3 цитирования, 3.3%
Бруней-Даруссалам	Бруней-Даруссалам, 3, 3.3% Бруней-Даруссалам 3 цитирования, 3.3%
Япония	Япония, 3, 3.3% Япония 3 цитирования, 3.3%
Испания	Испания, 2, 2.2% Испания 2 цитирования, 2.2%
Румыния	Румыния, 2, 2.2% Румыния 2 цитирования, 2.2%
Россия	Россия, 1, 1.1% Россия 1 цитирование, 1.1%
Германия	Германия, 1, 1.1% Германия 1 цитирование, 1.1%
Франция	Франция, 1, 1.1% Франция 1 цитирование, 1.1%
Австрия	Австрия, 1, 1.1% Австрия 1 цитирование, 1.1%
Вьетнам	Вьетнам, 1, 1.1% Вьетнам 1 цитирование, 1.1%
Ирландия	Ирландия, 1, 1.1% Ирландия 1 цитирование, 1.1%
Катар	Катар, 1, 1.1% Катар 1 цитирование, 1.1%
Турция	Турция, 1, 1.1% Турция 1 цитирование, 1.1%
Швейцария	Швейцария, 1, 1.1% Швейцария 1 цитирование, 1.1%
	5 10 15 20 25 30 35

Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
Статистика пересчитывается раз в сутки.