Всего публикаций
19
Всего цитирований
89
Цитирований на публикацию
4.68
Среднее число публикаций в год
2.11
Среднее число соавторов
8.26
Годы публикаций
2018-2026 (9 лет)
h-index
6
i10-index
2
m-index
0.67
o-index
8
g-index
7
w-index
0
Описание метрик
h-index
Учёный имеет индекс h, если h из его N статей цитируются как минимум h раз каждая, в то время как оставшиеся (N - h) статей цитируются не более чем h раз каждая.
i10-index
Число статей автора, получивших не менее 10 ссылок каждая.
m-index
m-индекс ученого численно равен отношению его h-индекса к количеству лет, прошедших с момента первой публикации.
o-index
Среднее геометрическое h-индекса и числа цитирований наиболее цитируемой статьи ученого.
g-index
Для данного множества статей, отсортированного в порядке убывания количества цитирований, которые получили эти статьи, g-индекс это наибольшее число, такое что g самых цитируемых статей получили (суммарно) не менее g2 цитирований.
w-index
Если w статей ученого имеют не менее 10w цитирований каждая и другие статьи меньше, чем 10(w+1) цитирований, то w-индекс исследователя равен w.

Топ-100

Области наук

1
2
3
4
5
6
Electronic, Optical and Magnetic Materials, 6, 31.58%
Electronic, Optical and Magnetic Materials
6 публикаций, 31.58%
Electrical and Electronic Engineering, 5, 26.32%
Electrical and Electronic Engineering
5 публикаций, 26.32%
Materials Chemistry, 2, 10.53%
Materials Chemistry
2 публикации, 10.53%
Condensed Matter Physics, 2, 10.53%
Condensed Matter Physics
2 публикации, 10.53%
Biotechnology, 1, 5.26%
Biotechnology
1 публикация, 5.26%
1
2
3
4
5
6

Журналы

1
2
3
4
Solid-State Electronics
4 публикации, 21.05%
IEEE Transactions on Electron Devices
3 публикации, 15.79%
IEEE Journal of the Electron Devices Society
1 публикация, 5.26%
npj 2D Materials and Applications
1 публикация, 5.26%
Advanced Electronic Materials
1 публикация, 5.26%
1
2
3
4

Цитирующие журналы

5
10
15
20
25
30
35
Журнал не определён, 32, 35.96%
Журнал не определён
32 цитирования, 35.96%
IEEE Transactions on Electron Devices
13 цитирований, 14.61%
Solid-State Electronics
5 цитирований, 5.62%
Micromachines
3 цитирования, 3.37%
IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement
3 цитирования, 3.37%
npj 2D Materials and Applications
2 цитирования, 2.25%
Advanced Functional Materials
2 цитирования, 2.25%
Nature Reviews Materials
2 цитирования, 2.25%
Advanced Materials Interfaces
2 цитирования, 2.25%
Physica Scripta
2 цитирования, 2.25%
ACS Applied Electronic Materials
2 цитирования, 2.25%
APL Machine Learning
2 цитирования, 2.25%
ACS applied materials & interfaces
1 цитирование, 1.12%
IEEE Transactions on Nanotechnology
1 цитирование, 1.12%
IEEE Journal of the Electron Devices Society
1 цитирование, 1.12%
Chemical Papers
1 цитирование, 1.12%
IEEE Electron Device Letters
1 цитирование, 1.12%
Physical Review Materials
1 цитирование, 1.12%
Materials Science in Semiconductor Processing
1 цитирование, 1.12%
Nanomaterials
1 цитирование, 1.12%
IEEE Sensors Journal
1 цитирование, 1.12%
Physical Review Applied
1 цитирование, 1.12%
Nanotechnology
1 цитирование, 1.12%
Nano Convergence
1 цитирование, 1.12%
Reliability Engineering and System Safety
1 цитирование, 1.12%
Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects
1 цитирование, 1.12%
Journal of Computational Electronics
1 цитирование, 1.12%
2D Materials
1 цитирование, 1.12%
Chinese Journal of Aeronautics
1 цитирование, 1.12%
Russian Microelectronics
1 цитирование, 1.12%
Neuromorphic Computing and Engineering
1 цитирование, 1.12%
5
10
15
20
25
30
35

Цитируемые журналы

20
40
60
80
100
120
140
160
Журнал не определён, 151, 36.21%
Журнал не определён
151 цитирование, 36.21%
IEEE Transactions on Electron Devices
55 цитирований, 13.19%
Journal of Applied Physics
34 цитирования, 8.15%
Microelectronics Reliability
21 цитирование, 5.04%
Microelectronic Engineering
14 цитирований, 3.36%
ACS Nano
11 цитирований, 2.64%
IEEE Electron Device Letters
10 цитирований, 2.4%
Nanotechnology
8 цитирований, 1.92%
Applied Physics Letters
7 цитирований, 1.68%
Solid-State Electronics
6 цитирований, 1.44%
Nano Letters
5 цитирований, 1.2%
Nature
5 цитирований, 1.2%
2D Materials
5 цитирований, 1.2%
IEEE Transactions on Nuclear Science
4 цитирования, 0.96%
Advanced Materials
4 цитирования, 0.96%
Physical Review B
4 цитирования, 0.96%
ACS applied materials & interfaces
3 цитирования, 0.72%
Nature Communications
3 цитирования, 0.72%
Physical Review Letters
3 цитирования, 0.72%
Journal of Physical Chemistry C
3 цитирования, 0.72%
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
3 цитирования, 0.72%
IEEE Journal of Solid-State Circuits
3 цитирования, 0.72%
Nature Electronics
3 цитирования, 0.72%
2009 IEEE International Reliability Physics Symposium
3 цитирования, 0.72%
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
2 цитирования, 0.48%
npj 2D Materials and Applications
2 цитирования, 0.48%
Advanced Functional Materials
2 цитирования, 0.48%
Nature Reviews Materials
2 цитирования, 0.48%
Nature Materials
2 цитирования, 0.48%
ECS Transactions
2 цитирования, 0.48%
Journal of Vacuum Science and Technology B
2 цитирования, 0.48%
Physica B+C
2 цитирования, 0.48%
IEEE Circuits and Devices Magazine
2 цитирования, 0.48%
Nature Reviews Physics
2 цитирования, 0.48%
2004 IEEE International Reliability Physics Symposium. Proceedings
2 цитирования, 0.48%
Nanoscale
1 цитирование, 0.24%
Lecture Notes in Computer Science
1 цитирование, 0.24%
Annual Review of Materials Research
1 цитирование, 0.24%
IEEE Journal of the Electron Devices Society
1 цитирование, 0.24%
Nanoscale Horizons
1 цитирование, 0.24%
AIP Advances
1 цитирование, 0.24%
Physical Review Materials
1 цитирование, 0.24%
Small
1 цитирование, 0.24%
Review of Scientific Instruments
1 цитирование, 0.24%
Applied Surface Science
1 цитирование, 0.24%
Semiconductors
1 цитирование, 0.24%
Journal Physics D: Applied Physics
1 цитирование, 0.24%
Springer Series in Advanced Microelectronics
1 цитирование, 0.24%
Procedia Engineering
1 цитирование, 0.24%
Progress in Organic Coatings
1 цитирование, 0.24%
Advances in Physics
1 цитирование, 0.24%
Chemical Society Reviews
1 цитирование, 0.24%
Electronics Letters
1 цитирование, 0.24%
Semiconductor Science and Technology
1 цитирование, 0.24%
IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs
1 цитирование, 0.24%
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena
1 цитирование, 0.24%
Cell Reports Physical Science
1 цитирование, 0.24%
Choice Reviews Online
1 цитирование, 0.24%
New Insulators, Devices and Radiation Effects
1 цитирование, 0.24%
1999 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 37th Annual (Cat. No.99CH36296)
1 цитирование, 0.24%
2000 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 38th Annual (Cat. No.00CH37059)
1 цитирование, 0.24%
2014 IEEE International Electron Devices Meeting
1 цитирование, 0.24%
20
40
60
80
100
120
140
160

Издатели

1
2
3
4
Elsevier
4 публикации, 21.05%
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
4 публикации, 21.05%
Springer Nature
1 публикация, 5.26%
Wiley
1 публикация, 5.26%
1
2
3
4

Организации из публикаций

2
4
6
8
10
Организация не определена, 10, 52.63%
Организация не определена
10 публикаций, 52.63%
Международный микроэлектронный научно-исследовательский центр
9 публикаций, 47.37%
Лёвенский католический университет
7 публикаций, 36.84%
Римский Университет Ла Сапиенца
2 публикации, 10.53%
Samsung
1 публикация, 5.26%
Университет Корё
1 публикация, 5.26%
Венский технический университет
1 публикация, 5.26%
2
4
6
8
10

Страны из публикаций

2
4
6
8
10
12
14
16
Бельгия, 16, 84.21%
Бельгия
16 публикаций, 84.21%
Италия, 4, 21.05%
Италия
4 публикации, 21.05%
Австрия, 2, 10.53%
Австрия
2 публикации, 10.53%
Страна не определена, 1, 5.26%
Страна не определена
1 публикация, 5.26%
США, 1, 5.26%
США
1 публикация, 5.26%
Республика Корея, 1, 5.26%
Республика Корея
1 публикация, 5.26%
2
4
6
8
10
12
14
16

Цитирующие организации

5
10
15
20
25
30
Организация не определена, 30, 33.71%
Организация не определена
30 цитирований, 33.71%
Международный микроэлектронный научно-исследовательский центр
15 цитирований, 16.85%
Лёвенский католический университет
9 цитирований, 10.11%
Чжэцзянский университет
3 цитирования, 3.37%
Университет Оран 1 Ахмеда Бен Беллы
3 цитирования, 3.37%
Университет Айн-Темушен
3 цитирования, 3.37%
Университет Брунея-Даруссалама
3 цитирования, 3.37%
Бэйханский университет
2 цитирования, 2.25%
Римский Университет Ла Сапиенца
2 цитирования, 2.25%
Samsung
2 цитирования, 2.25%
Национальный институт исследований и разработок в области изотопных и молекулярных технологий
2 цитирования, 2.25%
Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
1 цитирование, 1.12%
Университет Атылым
1 цитирование, 1.12%
Фуданьский университет
1 цитирование, 1.12%
Университет Хамада бин Халифы
1 цитирование, 1.12%
Катарский фонд
1 цитирование, 1.12%
Катарский научно-исследовательский институт окружающей среды и энергетики
1 цитирование, 1.12%
Дрезденский технический университет
1 цитирование, 1.12%
Университетский колледж Лондона
1 цитирование, 1.12%
Тяньцзиньский университет
1 цитирование, 1.12%
Центр им. Гельмгольца Дрезден-Россендорф
1 цитирование, 1.12%
Южный университет науки и технологий
1 цитирование, 1.12%
Массачусетский технологический институт
1 цитирование, 1.12%
Шэньчжэньский политехнический университет
1 цитирование, 1.12%
Университет Модены и Реджо-Эмилии
1 цитирование, 1.12%
Сеульский университет
1 цитирование, 1.12%
Университет Ёнсе
1 цитирование, 1.12%
Университет Корё
1 цитирование, 1.12%
Корейский институт науки и технологий
1 цитирование, 1.12%
Сеульский национальный университет науки и технологий
1 цитирование, 1.12%
Университет Ульсана
1 цитирование, 1.12%
Университет Донгук
1 цитирование, 1.12%
Кёнсанский национальный университет
1 цитирование, 1.12%
Гарвардский университет
1 цитирование, 1.12%
Университет Ханчжоу Дианзи
1 цитирование, 1.12%
Вестлейкский университет
1 цитирование, 1.12%
Венский технический университет
1 цитирование, 1.12%
Университет Кённам
1 цитирование, 1.12%
Университет Тохоку
1 цитирование, 1.12%
Ланьчжоуский университет
1 цитирование, 1.12%
Иллинойсский университет в Урбане-Шампейне
1 цитирование, 1.12%
Севильский университет
1 цитирование, 1.12%
Чунцинский институт зеленых и интеллектуальных технологий Китайской академии наук
1 цитирование, 1.12%
Университет Бата
1 цитирование, 1.12%
Ирландский национальный университет в Корке
1 цитирование, 1.12%
Лаборатория Пэн Чэн
1 цитирование, 1.12%
Институт микроэлектроники, Китайская академия наук
1 цитирование, 1.12%
5
10
15
20
25
30

Цитирующие страны

5
10
15
20
25
30
35
Бельгия, 32, 35.96%
Бельгия
32 цитирования, 35.96%
Китай, 13, 14.61%
Китай
13 цитирований, 14.61%
Страна не определена, 9, 10.11%
Страна не определена
9 цитирований, 10.11%
США, 6, 6.74%
США
6 цитирований, 6.74%
Республика Корея, 5, 5.62%
Республика Корея
5 цитирований, 5.62%
Италия, 4, 4.49%
Италия
4 цитирования, 4.49%
Алжир, 3, 3.37%
Алжир
3 цитирования, 3.37%
Бруней-Даруссалам, 3, 3.37%
Бруней-Даруссалам
3 цитирования, 3.37%
Великобритания, 3, 3.37%
Великобритания
3 цитирования, 3.37%
Испания, 2, 2.25%
Испания
2 цитирования, 2.25%
Румыния, 2, 2.25%
Румыния
2 цитирования, 2.25%
Япония, 2, 2.25%
Япония
2 цитирования, 2.25%
Россия, 1, 1.12%
Россия
1 цитирование, 1.12%
Германия, 1, 1.12%
Германия
1 цитирование, 1.12%
Франция, 1, 1.12%
Франция
1 цитирование, 1.12%
Австрия, 1, 1.12%
Австрия
1 цитирование, 1.12%
Вьетнам, 1, 1.12%
Вьетнам
1 цитирование, 1.12%
Ирландия, 1, 1.12%
Ирландия
1 цитирование, 1.12%
Катар, 1, 1.12%
Катар
1 цитирование, 1.12%
Турция, 1, 1.12%
Турция
1 цитирование, 1.12%
5
10
15
20
25
30
35
  • Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
  • Статистика пересчитывается раз в сутки.