Бурим Эль-Мостафа

El-Mostafa Bourim
PhD
🥼
🥼
Эль-Мостафа может стать вашим научным руководителем
Если вы хотите работать под его/её руководством, напишите сообщение или свяжитесь с ним/ней в соцсетях.
Необходимо авторизоваться.
🤝
🤝
Эль-Мостафа ищет возможности для научного сотрудничества
Если вы хотите провести с ним/ней совместное исследование, напишите сообщение или свяжитесь с ним/ней в соцсетях.
Необходимо авторизоваться.
Публикаций
31
Цитирований
696
Индекс Хирша
15

О себе

Academic Background and Career

Born in Casablanca, Morocco, Dr. Bourim earned his Master's and Ph.D. degrees in Materials Science and Engineering—specializing in the mechanical and physical behavior of materials—from the National Institute for Applied Sciences of Lyon (INSA de Lyon) in France in 1994 and 1998, respectively. After completing a postdoctoral fellowship at the National Institute for Research in Inorganic Materials (NIRIM) in Tsukuba, Japan, he joined Samsung in 2002, contributing to advanced research in materials and device technologies. ​

Research Contributions

Dr. Bourim has authored over 47 scientific publications and holds patents related to MEMS packaging and non-volatile memory devices. His research focuses on interface switching in oxide-based devices, reactive multilayer systems for microsystem bonding, and the development of thin-film materials for electronic applications. His work has garnered over 1,300 citations, reflecting his impact in the field. ​

Professional Affiliations

In addition to his role at Ewha Womans University, Dr. Bourim is affiliated with the National NanoFab Center at KAIST in Daejeon, South Korea. His professional journey includes significant contributions to both academia and industry, particularly in materials science and semiconductor technologies.​

For more information about his research and publications, you can visit his Google Scholar profile, ResearchGate profile, or ORCID profile.

Полная статистика
Всего публикаций
31
Всего цитирований
696
Цитирований на публикацию
22.45
Среднее число публикаций в год
1.41
Среднее число соавторов
5.94
Годы публикаций
2000-2021 (22 года)
h-index
15
i10-index
20
m-index
0.68
o-index
46
g-index
26
w-index
4
Описание метрик
h-index
Учёный имеет индекс h, если h из его N статей цитируются как минимум h раз каждая, в то время как оставшиеся (N - h) статей цитируются не более чем h раз каждая.
i10-index
Число статей автора, получивших не менее 10 ссылок каждая.
m-index
m-индекс ученого численно равен отношению его h-индекса к количеству лет, прошедших с момента первой публикации.
o-index
Среднее геометрическое h-индекса и числа цитирований наиболее цитируемой статьи ученого.
g-index
Для данного множества статей, отсортированного в порядке убывания количества цитирований, которые получили эти статьи, g-индекс это наибольшее число, такое что g самых цитируемых статей получили (суммарно) не менее g2 цитирований.
w-index
Если w статей ученого имеют не менее 10w цитирований каждая и другие статьи меньше, чем 10(w+1) цитирований, то w-индекс исследователя равен w.

Области наук

2
4
6
8
10
12
14
Electrical and Electronic Engineering, 14, 45.16%
Electrical and Electronic Engineering
14 публикаций, 45.16%
Electronic, Optical and Magnetic Materials, 12, 38.71%
Electronic, Optical and Magnetic Materials
12 публикаций, 38.71%
Condensed Matter Physics, 10, 32.26%
Condensed Matter Physics
10 публикаций, 32.26%
General Physics and Astronomy, 6, 19.35%
General Physics and Astronomy
6 публикаций, 19.35%
General Materials Science, 5, 16.13%
General Materials Science
5 публикаций, 16.13%
Materials Chemistry, 4, 12.9%
Materials Chemistry
4 публикации, 12.9%
Surfaces, Coatings and Films, 3, 9.68%
Surfaces, Coatings and Films
3 публикации, 9.68%
Ceramics and Composites, 3, 9.68%
Ceramics and Composites
3 публикации, 9.68%
Physical and Theoretical Chemistry, 3, 9.68%
Physical and Theoretical Chemistry
3 публикации, 9.68%
General Chemical Engineering, 3, 9.68%
General Chemical Engineering
3 публикации, 9.68%
Electrochemistry, 3, 9.68%
Electrochemistry
3 публикации, 9.68%
Mechanical Engineering, 3, 9.68%
Mechanical Engineering
3 публикации, 9.68%
Metals and Alloys, 2, 6.45%
Metals and Alloys
2 публикации, 6.45%
Instrumentation, 2, 6.45%
Instrumentation
2 публикации, 6.45%
Mechanics of Materials, 2, 6.45%
Mechanics of Materials
2 публикации, 6.45%
Control and Systems Engineering, 2, 6.45%
Control and Systems Engineering
2 публикации, 6.45%
General Chemistry, 1, 3.23%
General Chemistry
1 публикация, 3.23%
Atomic and Molecular Physics, and Optics, 1, 3.23%
Atomic and Molecular Physics, and Optics
1 публикация, 3.23%
Physics and Astronomy (miscellaneous), 1, 3.23%
Physics and Astronomy (miscellaneous)
1 публикация, 3.23%
General Engineering, 1, 3.23%
General Engineering
1 публикация, 3.23%
Acoustics and Ultrasonics, 1, 3.23%
Acoustics and Ultrasonics
1 публикация, 3.23%
2
4
6
8
10
12
14

Журналы

1
2
3
Electrochemical and Solid-State Letters
3 публикации, 9.68%
Micromachines
2 публикации, 6.45%
Electronic Materials Letters
2 публикации, 6.45%
Physica B: Condensed Matter
2 публикации, 6.45%
Journal of Electroceramics
2 публикации, 6.45%
Current Applied Physics
2 публикации, 6.45%
Sensors and Actuators, A: Physical
2 публикации, 6.45%
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
2 публикации, 6.45%
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes
1 публикация, 3.23%
Applied Physics Letters
1 публикация, 3.23%
Journal of Micro/ Nanolithography, MEMS, and MOEMS
1 публикация, 3.23%
IEEE Electron Device Letters
1 публикация, 3.23%
ECS Journal of Solid State Science and Technology
1 публикация, 3.23%
Journal of the Korean Physical Society
1 публикация, 3.23%
Journal of the European Ceramic Society
1 публикация, 3.23%
Journal of Applied Physics
1 публикация, 3.23%
Solid State Communications
1 публикация, 3.23%
Journal Physics D: Applied Physics
1 публикация, 3.23%
Key Engineering Materials
1 публикация, 3.23%
Journal of Vacuum Science & Technology B Microelectronics and Nanometer Structures Processing Measurement and Phenomena
1 публикация, 3.23%
Journal de Physique IV (Proceedings)
1 публикация, 3.23%
1
2
3

Цитирующие журналы

5
10
15
20
25
30
35
40
45
Applied Physics Letters
43 цитирования, 6.18%
Журнал не определён, 34, 4.89%
Журнал не определён
34 цитирования, 4.89%
Journal of Applied Physics
31 цитирование, 4.45%
IEEE Electron Device Letters
21 цитирование, 3.02%
Journal of Alloys and Compounds
19 цитирований, 2.73%
IEEE Transactions on Electron Devices
16 цитирований, 2.3%
Applied Surface Science
15 цитирований, 2.16%
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes
13 цитирований, 1.87%
Journal Physics D: Applied Physics
13 цитирований, 1.87%
ACS applied materials & interfaces
12 цитирований, 1.72%
Semiconductor Science and Technology
12 цитирований, 1.72%
Advanced Electronic Materials
11 цитирований, 1.58%
Solid-State Electronics
10 цитирований, 1.44%
AIP Advances
8 цитирований, 1.15%
Advanced Functional Materials
8 цитирований, 1.15%
Vacuum
8 цитирований, 1.15%
Microelectronic Engineering
8 цитирований, 1.15%
Ferroelectrics
8 цитирований, 1.15%
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
8 цитирований, 1.15%
Materials
8 цитирований, 1.15%
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
7 цитирований, 1.01%
Nanotechnology
7 цитирований, 1.01%
Journal of Vacuum Science and Technology B
7 цитирований, 1.01%
RSC Advances
6 цитирований, 0.86%
Journal of Materials Chemistry C
6 цитирований, 0.86%
Journal of Physics Condensed Matter
6 цитирований, 0.86%
Journal of the European Ceramic Society
6 цитирований, 0.86%
Current Applied Physics
6 цитирований, 0.86%
Nanoscale Research Letters
6 цитирований, 0.86%
Nanoscale
5 цитирований, 0.72%
Physica Status Solidi - Rapid Research Letters
5 цитирований, 0.72%
Journal of Materials Science
5 цитирований, 0.72%
Scientific Reports
5 цитирований, 0.72%
Physica B: Condensed Matter
5 цитирований, 0.72%
Advanced Engineering Materials
5 цитирований, 0.72%
Advanced Materials
5 цитирований, 0.72%
Physical Review B
5 цитирований, 0.72%
ACS Applied Electronic Materials
5 цитирований, 0.72%
Microelectronics Reliability
4 цитирования, 0.57%
Physical Chemistry Chemical Physics
4 цитирования, 0.57%
Nature Communications
4 цитирования, 0.57%
Chinese Physics B
4 цитирования, 0.57%
Nanomaterials
4 цитирования, 0.57%
Ceramics International
4 цитирования, 0.57%
Electronic Materials Letters
4 цитирования, 0.57%
Phase Transitions
4 цитирования, 0.57%
Materials Today: Proceedings
4 цитирования, 0.57%
Materials Science & Engineering A: Structural Materials: Properties, Microstructure and Processing
4 цитирования, 0.57%
Materials Science and Engineering: R: Reports
3 цитирования, 0.43%
New Journal of Physics
3 цитирования, 0.43%
Micromachines
3 цитирования, 0.43%
IEEE Journal of the Electron Devices Society
3 цитирования, 0.43%
Advanced Science
3 цитирования, 0.43%
Smart Materials and Structures
3 цитирования, 0.43%
EPJ Applied Physics
3 цитирования, 0.43%
Journal of the Electrochemical Society
3 цитирования, 0.43%
IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control
3 цитирования, 0.43%
Acta Materialia
3 цитирования, 0.43%
Physical Review Materials
3 цитирования, 0.43%
APL Materials
3 цитирования, 0.43%
ECS Journal of Solid State Science and Technology
3 цитирования, 0.43%
Optics Express
3 цитирования, 0.43%
Journal of Advanced Dielectrics
3 цитирования, 0.43%
Journal of Electronic Materials
3 цитирования, 0.43%
Journal of Electroceramics
3 цитирования, 0.43%
Advances in Physics
3 цитирования, 0.43%
Langmuir
3 цитирования, 0.43%
Journal of Microelectromechanical Systems
3 цитирования, 0.43%
Journal of Computational Electronics
3 цитирования, 0.43%
Sensors and Actuators, A: Physical
3 цитирования, 0.43%
SID Symposium Digest of Technical Papers
3 цитирования, 0.43%
Materials Science and Technology
2 цитирования, 0.29%
Journal of the American Chemical Society
2 цитирования, 0.29%
Journal of Micro/ Nanolithography, MEMS, and MOEMS
2 цитирования, 0.29%
Journal of Luminescence
2 цитирования, 0.29%
CrystEngComm
2 цитирования, 0.29%
IEEE Transactions on Magnetics
2 цитирования, 0.29%
ACS Nano
2 цитирования, 0.29%
Journal of Physical Chemistry C
2 цитирования, 0.29%
Journal of Sol-Gel Science and Technology
2 цитирования, 0.29%
Journal of Mechanical Science and Technology
2 цитирования, 0.29%
Journal of Magnetism and Magnetic Materials
2 цитирования, 0.29%
IEEE Sensors Journal
2 цитирования, 0.29%
Materials Chemistry and Physics
2 цитирования, 0.29%
Applied Physics A: Materials Science and Processing
2 цитирования, 0.29%
Springer Series in Surface Sciences
2 цитирования, 0.29%
IEEE Photonics Journal
2 цитирования, 0.29%
Rare Metals
2 цитирования, 0.29%
Journal of Optics (India)
2 цитирования, 0.29%
Journal of the Australian Ceramic Society
2 цитирования, 0.29%
Physica Scripta
2 цитирования, 0.29%
Key Engineering Materials
2 цитирования, 0.29%
IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology
2 цитирования, 0.29%
Results in Physics
2 цитирования, 0.29%
Journal of the Optical Society of America A: Optics and Image Science, and Vision
2 цитирования, 0.29%
Journal of the Society for Information Display
2 цитирования, 0.29%
Applied Physics Express
2 цитирования, 0.29%
Journal of Micromechanics and Microengineering
2 цитирования, 0.29%
Mechanical Systems and Signal Processing
2 цитирования, 0.29%
MRS Proceedings
2 цитирования, 0.29%
5
10
15
20
25
30
35
40
45

Издатели

1
2
3
4
5
6
7
8
Elsevier
8 публикаций, 25.81%
Springer Nature
5 публикаций, 16.13%
The Electrochemical Society
4 публикации, 12.9%
SPIE-Intl Soc Optical Eng
3 публикации, 9.68%
MDPI
2 публикации, 6.45%
AIP Publishing
2 публикации, 6.45%
EDP Sciences
1 публикация, 3.23%
Trans Tech Publications
1 публикация, 3.23%
Japan Society of Applied Physics
1 публикация, 3.23%
IOP Publishing
1 публикация, 3.23%
American Vacuum Society
1 публикация, 3.23%
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
1 публикация, 3.23%
1
2
3
4
5
6
7
8

Организации из публикаций

1
2
3
4
5
6
7
8
9
Организация не определена, 9, 29.03%
Организация не определена
9 публикаций, 29.03%
Samsung
8 публикаций, 25.81%
Институт науки и технологий Кванджу
7 публикаций, 22.58%
Национальный институт прикладных наук Лиона
3 публикации, 9.68%
Национальный институт материаловедения
2 публикации, 6.45%
Университет Донгук
2 публикации, 6.45%
Воронежский государственный университет
1 публикация, 3.23%
Южно-китайский технологический университет
1 публикация, 3.23%
Бирмингемский университет
1 публикация, 3.23%
Корейский институт передовых технологий
1 публикация, 3.23%
Национальный университет Чоннама
1 публикация, 3.23%
Женский университет Ихва
1 публикация, 3.23%
Университет Хьюстона
1 публикация, 3.23%
1
2
3
4
5
6
7
8
9

Страны из публикаций

5
10
15
20
Республика Корея, 20, 64.52%
Республика Корея
20 публикаций, 64.52%
Страна не определена, 11, 35.48%
Страна не определена
11 публикаций, 35.48%
Франция, 4, 12.9%
Франция
4 публикации, 12.9%
Япония, 2, 6.45%
Япония
2 публикации, 6.45%
Россия, 1, 3.23%
Россия
1 публикация, 3.23%
США, 1, 3.23%
США
1 публикация, 3.23%
Китай, 1, 3.23%
Китай
1 публикация, 3.23%
Великобритания, 1, 3.23%
Великобритания
1 публикация, 3.23%
5
10
15
20

Цитирующие организации

20
40
60
80
100
120
Организация не определена, 103, 14.8%
Организация не определена
103 цитирования, 14.8%
Институт науки и технологий Кванджу
23 цитирования, 3.3%
Кембриджский университет
20 цитирований, 2.87%
Национальный университет Ян Мин Цзяотун
17 цитирований, 2.44%
Пхоханский университет науки и технологий
17 цитирований, 2.44%
Индийский институт технологии в Мумбаи
15 цитирований, 2.16%
Samsung
12 цитирований, 1.72%
Университет электронных наук и технологий Китая
11 цитирований, 1.58%
Национальный институт оптики
11 цитирований, 1.58%
Рейнско-Вестфальский технический университет Ахена
11 цитирований, 1.58%
Миланский технический университет
10 цитирований, 1.44%
Университет Ханьян
10 цитирований, 1.44%
Технический университет Ильменау
10 цитирований, 1.44%
Хуачжунский университет науки и технологии
9 цитирований, 1.29%
Наньянский технологический университет
9 цитирований, 1.29%
Сеульский университет
9 цитирований, 1.29%
Университет Цинхуа
8 цитирований, 1.15%
Сианьский университет Цзяотун
8 цитирований, 1.15%
Университет Донгук
8 цитирований, 1.15%
Лос-Аламосская национальная лаборатория
8 цитирований, 1.15%
Юлихский исследовательский центр
8 цитирований, 1.15%
Пекинский университет
7 цитирований, 1.01%
Нанкинский университет
7 цитирований, 1.01%
Университет Корё
7 цитирований, 1.01%
Институт микроэлектроники, Китайская академия наук
7 цитирований, 1.01%
Университет Китайской академии наук
6 цитирований, 0.86%
Швейцарская высшая техническая школа Цюриха
6 цитирований, 0.86%
Хубэйский университет
6 цитирований, 0.86%
Неаполитанский университет имени Фридриха II
6 цитирований, 0.86%
Национальный университет Сунь Ятсена
6 цитирований, 0.86%
Университет имени Сунь Ятсена
6 цитирований, 0.86%
Университет Пердью
6 цитирований, 0.86%
Университет Тунцзи
5 цитирований, 0.72%
Университет Гренобль-Альпы
5 цитирований, 0.72%
Уханьский университет
5 цитирований, 0.72%
Университет Нового Южного Уэльса
5 цитирований, 0.72%
Шэньчжэньский Университет
5 цитирований, 0.72%
Университет Турку
5 цитирований, 0.72%
Автономный университет Барселоны
5 цитирований, 0.72%
Институт физики Китайской академии наук
5 цитирований, 0.72%
Национальный университет Цинхуа
5 цитирований, 0.72%
Университет Конкук
5 цитирований, 0.72%
Университет Флориды
5 цитирований, 0.72%
Университет Бахауддина Закарии
4 цитирования, 0.57%
Индийский институт технологии в Канпуре
4 цитирования, 0.57%
Федеральная политехническая школа Лозанны
4 цитирования, 0.57%
Нанкинский университет почты и телекоммуникаций
4 цитирования, 0.57%
Юго-Восточный университет
4 цитирования, 0.57%
Хубэйский университет национальностей
4 цитирования, 0.57%
Южно-Китайский педагогический университет
4 цитирования, 0.57%
Наньчанский университет
4 цитирования, 0.57%
Национальный институт материаловедения
4 цитирования, 0.57%
Национальный университет Сингапура
4 цитирования, 0.57%
Университет Чанг Гунг
4 цитирования, 0.57%
Хэфэйский технологический университет
4 цитирования, 0.57%
Национальный университет Ченг Кунг
4 цитирования, 0.57%
Римский университет Тор Вергата
4 цитирования, 0.57%
Институт Сложных Систем
4 цитирования, 0.57%
Корейский институт науки и технологий
4 цитирования, 0.57%
Институт фундаментальных наук
4 цитирования, 0.57%
Национальный университет Чунгбук
4 цитирования, 0.57%
Берлинский технический университет
4 цитирования, 0.57%
Университет штата Нью-Йорк в Буффало
4 цитирования, 0.57%
Хэнаньский университет
4 цитирования, 0.57%
Ланьчжоуский университет
4 цитирования, 0.57%
Дармштадтский технический университет
4 цитирования, 0.57%
Саарский университет
4 цитирования, 0.57%
Венский университет
4 цитирования, 0.57%
Силезский университет в Катовице
4 цитирования, 0.57%
Национальный институт прикладных наук Лиона
4 цитирования, 0.57%
Массачусетский университет в Амхерсте
4 цитирования, 0.57%
Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН
3 цитирования, 0.43%
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
3 цитирования, 0.43%
Университет Гази
3 цитирования, 0.43%
Индийский технологический институт в Мадрасе
3 цитирования, 0.43%
Национальный технологический институт в Руркеле
3 цитирования, 0.43%
Университет Шри Кришнадеварая
3 цитирования, 0.43%
Национальная физическая лаборатория Индии
3 цитирования, 0.43%
Технион - израильский технологический институт
3 цитирования, 0.43%
Южно-китайский технологический университет
3 цитирования, 0.43%
Национальная лаборатория имени Лоуренса в Беркли
3 цитирования, 0.43%
Национальный объединенный университет
3 цитирования, 0.43%
Университет Феррары
3 цитирования, 0.43%
Институт микроэлектроники и микросистем
3 цитирования, 0.43%
Стэнфордский университет
3 цитирования, 0.43%
Университет Ёнсе
3 цитирования, 0.43%
Корейский институт передовых технологий
3 цитирования, 0.43%
Гонконгский университет науки и технологий
3 цитирования, 0.43%
Гонконгский политехнический университет
3 цитирования, 0.43%
Гонконгский университет
3 цитирования, 0.43%
Университет Инха
3 цитирования, 0.43%
Университет Квангун
3 цитирования, 0.43%
Нагойский технологический институт
3 цитирования, 0.43%
Федеральный университет Сан-Карлоса
3 цитирования, 0.43%
Севильский университет
3 цитирования, 0.43%
Научно-исследовательский институт промышленных технологий
3 цитирования, 0.43%
Университет Эрлангена — Нюрнберга
3 цитирования, 0.43%
Токийский университет
3 цитирования, 0.43%
Университет Саламанки
3 цитирования, 0.43%
Институт языковой литературы и антропологии
3 цитирования, 0.43%
20
40
60
80
100
120

Цитирующие страны

20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
Китай, 193, 27.73%
Китай
193 цитирования, 27.73%
Республика Корея, 100, 14.37%
Республика Корея
100 цитирований, 14.37%
США, 68, 9.77%
США
68 цитирований, 9.77%
Страна не определена, 66, 9.48%
Страна не определена
66 цитирований, 9.48%
Индия, 60, 8.62%
Индия
60 цитирований, 8.62%
Германия, 55, 7.9%
Германия
55 цитирований, 7.9%
Италия, 40, 5.75%
Италия
40 цитирований, 5.75%
Великобритания, 30, 4.31%
Великобритания
30 цитирований, 4.31%
Япония, 30, 4.31%
Япония
30 цитирований, 4.31%
Франция, 27, 3.88%
Франция
27 цитирований, 3.88%
Испания, 16, 2.3%
Испания
16 цитирований, 2.3%
Сингапур, 16, 2.3%
Сингапур
16 цитирований, 2.3%
Турция, 14, 2.01%
Турция
14 цитирований, 2.01%
Австралия, 11, 1.58%
Австралия
11 цитирований, 1.58%
Россия, 9, 1.29%
Россия
9 цитирований, 1.29%
Пакистан, 9, 1.29%
Пакистан
9 цитирований, 1.29%
Швейцария, 9, 1.29%
Швейцария
9 цитирований, 1.29%
Украина, 8, 1.15%
Украина
8 цитирований, 1.15%
Польша, 7, 1.01%
Польша
7 цитирований, 1.01%
Португалия, 6, 0.86%
Португалия
6 цитирований, 0.86%
Бразилия, 6, 0.86%
Бразилия
6 цитирований, 0.86%
Израиль, 6, 0.86%
Израиль
6 цитирований, 0.86%
Иран, 6, 0.86%
Иран
6 цитирований, 0.86%
Австрия, 5, 0.72%
Австрия
5 цитирований, 0.72%
Норвегия, 5, 0.72%
Норвегия
5 цитирований, 0.72%
Саудовская Аравия, 5, 0.72%
Саудовская Аравия
5 цитирований, 0.72%
Финляндия, 5, 0.72%
Финляндия
5 цитирований, 0.72%
Аргентина, 3, 0.43%
Аргентина
3 цитирования, 0.43%
Нидерланды, 3, 0.43%
Нидерланды
3 цитирования, 0.43%
Вьетнам, 2, 0.29%
Вьетнам
2 цитирования, 0.29%
Канада, 2, 0.29%
Канада
2 цитирования, 0.29%
Колумбия, 2, 0.29%
Колумбия
2 цитирования, 0.29%
Малайзия, 2, 0.29%
Малайзия
2 цитирования, 0.29%
Мексика, 2, 0.29%
Мексика
2 цитирования, 0.29%
Новая Зеландия, 2, 0.29%
Новая Зеландия
2 цитирования, 0.29%
ОАЭ, 2, 0.29%
ОАЭ
2 цитирования, 0.29%
Румыния, 2, 0.29%
Румыния
2 цитирования, 0.29%
Чехия, 2, 0.29%
Чехия
2 цитирования, 0.29%
Азербайджан, 1, 0.14%
Азербайджан
1 цитирование, 0.14%
Алжир, 1, 0.14%
Алжир
1 цитирование, 0.14%
Бангладеш, 1, 0.14%
Бангладеш
1 цитирование, 0.14%
Бельгия, 1, 0.14%
Бельгия
1 цитирование, 0.14%
Греция, 1, 0.14%
Греция
1 цитирование, 0.14%
Грузия, 1, 0.14%
Грузия
1 цитирование, 0.14%
Египет, 1, 0.14%
Египет
1 цитирование, 0.14%
Индонезия, 1, 0.14%
Индонезия
1 цитирование, 0.14%
Куба, 1, 0.14%
Куба
1 цитирование, 0.14%
Латвия, 1, 0.14%
Латвия
1 цитирование, 0.14%
Марокко, 1, 0.14%
Марокко
1 цитирование, 0.14%
Сербия, 1, 0.14%
Сербия
1 цитирование, 0.14%
Судан, 1, 0.14%
Судан
1 цитирование, 0.14%
Тунис, 1, 0.14%
Тунис
1 цитирование, 0.14%
Узбекистан, 1, 0.14%
Узбекистан
1 цитирование, 0.14%
Уругвай, 1, 0.14%
Уругвай
1 цитирование, 0.14%
Швеция, 1, 0.14%
Швеция
1 цитирование, 0.14%
Тайвань, 1, 0.14%
Тайвань
1 цитирование, 0.14%
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
  • Мы не учитываем публикации, у которых нет DOI.
  • Статистика пересчитывается раз в сутки.